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    針對金屬氧化物的應(yīng)用，該腔室有3個主要特性：①擁有專利的空心陰極梯度漸變（Hollow Cathode Gradient，HCG）設(shè)計，使氧化硅的均勻性達到10%以內(nèi)；②由于氧化硅的沉積對氣體分布的均勻性很敏感，因此在氣體輸入處采用了氣體擴散裝置，改善了整個膜層的均勻性；③氣體擴散裝置有個很大的平面板，針對8.5代基板可能會因重力產(chǎn)生一些形變，采用了中央支持氣體擴散器Center Support Diffuser,CSD)，以確保平行板電容器之間的平行度，進一步改善氮化硅膜和氧化硅膜的均勻性。 

　　用于清潔的氣體和反應(yīng)氣體都從氣體擴散裝置進入，在整個腔室中均勻分布，達到腔室徹底清潔的效果。“這樣，整體的顆粒控制優(yōu)于其他同類設(shè)備?！睉?yīng)用材料顯示事業(yè)部（AKT）CVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理肖勁松表示。 

　　AKT-PiVot DT（雙軌道搬運系統(tǒng)）PVD設(shè)備，可以在較小的占地面積上實現(xiàn)更高的生產(chǎn)效率。55K型號用于2200mm×2500mm玻璃基板，25K型號用于1500mm×1850mm玻璃基板。 

    PiVot DT系統(tǒng)的優(yōu)勢如圖3所示，應(yīng)用材料顯示事業(yè)部（AKT）PVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理John D.Busch特別強調(diào)了其中的3點：旋轉(zhuǎn)靶材；氣體分布的均勻性；模塊化設(shè)計。

　　圖3 PiVot DT系統(tǒng)的優(yōu)勢

    靶材旋轉(zhuǎn)時，冷卻水流通過其內(nèi)部，可使靶材表面溫度較低，最高為80℃；圓柱形靶材比平面靶材的利用率高3倍，達到了80%，且此時的表面仍很光滑（詳細請見《應(yīng)用材料推出面向8.5代LCD和OLED顯示制造的PX PECVD和PiVot PVD技術(shù)》。） 

　　此外，Busch解釋說，應(yīng)用材料雖不做靶材業(yè)務(wù)，但會對靶材供應(yīng)商認(rèn)證，以保證質(zhì)量。目前已對8.5代IGZO認(rèn)證了3家供應(yīng)商，第4家正在認(rèn)證。 

    PVD設(shè)備的旋轉(zhuǎn)靶自我清潔與磁極搖擺控制功能，實現(xiàn)了產(chǎn)品低缺陷率與膜質(zhì)均勻性的控制（見圖4）。

　　圖4 PVD設(shè)備的優(yōu)勢 

    應(yīng)用材料認(rèn)為，針對智能手機、平板電腦、OLED電視和超高清電視等高分辨率顯示屏的需求，傳統(tǒng)非晶硅顯示技術(shù)必將轉(zhuǎn)向金屬氧化物或低溫多晶硅薄膜晶體管技術(shù)。而金屬氧化物薄膜晶體管顯示技術(shù)會帶來高電子遷移率、低功耗、低成本的優(yōu)勢。 

　　據(jù)悉，京東方合肥和三星蘇州兩座8.5代廠有望于2014年一季度拿到PVD設(shè)備。