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　　意法半導(dǎo)體的STM32 L1系列超低功耗ARM Cortex-M3 32位元微控制器，新增一款內(nèi)建512KB快閃記憶體的產(chǎn)品。目前L1系列共有三個產(chǎn)品線，70余款產(chǎn)品，其超低功耗和記憶體容量的組合在市場上堪稱獨一無二，快閃記憶體和RAM最大容量分別高達512KB和80KB。

　　新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體獨有的超低漏電流110奈米CMOS制程和經(jīng)最佳化的系統(tǒng)架構(gòu)，功耗極低，目標(biāo)應(yīng)用鎖定具高成本效益的嵌入式設(shè)計，適用于健身、醫(yī)療、穿戴式裝置和工業(yè)/電表等需電池供電的聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

　　意法半導(dǎo)體推出新款超低功耗STM32微控制器，更大的記憶體容量及更低的功耗大幅提升產(chǎn)品價值。

　　L1系列的主要特性：高性能ARM Cortex-M3 32位元內(nèi)核：在32MHz時高達33 DMIPS;針腳對針腳和軟體均與上一代STM32 L系列完全相容;在32MHz時，工作模式動態(tài)功耗257μA/MHz;在4MHz時，低至177μA/MHz兩個超低功耗模式：在SRAM內(nèi)容保留時，功耗低至435nA;真正的嵌入式EEPROM;雙區(qū)快閃記憶體，RWW讀寫同步功能使其可支援具有失效保護功能的韌體快速更新和恢復(fù)。

　　新產(chǎn)品承襲了STM32 L1的優(yōu)勢，包括電壓調(diào)節(jié)、靈活的時鐘樹(clock tree)內(nèi)建低功耗多速內(nèi)部振蕩器(multi-speed internal;MSI) oscillator和-40°C至+85°C的工作溫度范圍、低功耗模式下工作溫度高達105°C，同時意法半導(dǎo)體的新110奈米制程在25°C至+105°C溫度范圍內(nèi)取得業(yè)界最小的功耗變化。

　　為加快軟硬體開發(fā)，STM32 L1 512KB配備一個STM32 Nucleo擴展板。新的原型開發(fā)板具有mbed功能，可支援Arduino介面，同時還提供意法半導(dǎo)體Morpho擴展排針(extension header)，可連接微控制器的所有片上周邊設(shè)備。作為STM32產(chǎn)品家族的一部分，新產(chǎn)品充分利用了意法半導(dǎo)體為上一代超低功耗產(chǎn)品開發(fā)的所有軟體庫和開發(fā)工具，方便設(shè)計人員輕松移植(或升級)現(xiàn)有應(yīng)用。STM32L151、STM32L152和STM32L162三個產(chǎn)品線現(xiàn)已量產(chǎn)。