在汽車及工業(yè)應(yīng)用的位置探測(cè)領(lǐng)域中,對(duì)傳感器功能的要求越來(lái)越多。傳感器在嚴(yán)苛環(huán)境下的精確性和 穩(wěn)定性必須持續(xù)增強(qiáng)。關(guān)于節(jié)氣門(mén)閥、離合器或方向盤(pán)的位置探測(cè)應(yīng)用必須盡可能精確地實(shí)現(xiàn)。對(duì)于短距離(6毫米為上限)或小角度(60度為上限)測(cè)量應(yīng)用, 可以使用現(xiàn)有的一維線性霍爾傳感器。但對(duì)于更大的角度,則需要使用一種新的技術(shù)。為此,Micronas開(kāi)發(fā)了兩個(gè)新的霍爾效應(yīng)傳感器產(chǎn)品系 列,HAL36xy和HAL38xy。
上述產(chǎn)品首次使用了所謂的“垂直霍爾片”。我們和Fraunhofer集成電路研究院 (FhG IIS)緊密合作,為這種新型傳感器專門(mén)開(kāi)發(fā)了這些契合Micronas制程的霍爾片。 Micronas授權(quán)應(yīng)用了被稱為“Hall-in-One”的pixel cell像素技術(shù),并將其調(diào)整應(yīng)用于HAL 36xy/HAL 38xy系列。這些傳感器系列包括7個(gè)不同的產(chǎn)品,因而覆蓋了從離合器位置或空檔檢測(cè)到方向盤(pán)角度測(cè)量的廣泛應(yīng)用。
圖1 3D霍爾技術(shù)線性距離測(cè)量
Micronas是首家成功將使用“垂直霍爾技術(shù)”的傳感器引入汽車應(yīng)用,并且處于領(lǐng)導(dǎo)地位的霍爾效應(yīng)傳感器制造商。
從前,角度測(cè)量只能用集成的通量集中器或者復(fù)雜雙列AMR(各向異性磁阻)傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn),而現(xiàn)在可以用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的CMOS過(guò)程來(lái)完成。與AMR技術(shù) 相反,由于垂直霍爾技術(shù)的幫助,可以用單個(gè)產(chǎn)品就實(shí)現(xiàn)對(duì)上至360°的角度以及線性距離進(jìn)行測(cè)量。Micronas所開(kāi)發(fā)的方案,其主要優(yōu)勢(shì)在于使用了所 謂的“pixel cell” 像素。它由兩個(gè)垂直霍爾片和一個(gè)水平霍爾片組成。有了pixel cell像素,就可以在一個(gè)點(diǎn)上測(cè)量三個(gè)磁場(chǎng)分矢量。平行于傳感器表面的磁力線由垂直霍爾片測(cè)量,垂直于傳感器表面的磁力線由水平霍爾片測(cè)量。
HAL36xy只使用兩個(gè)垂直霍爾片Bx和By,而HAL38xy使用水平霍爾片以及垂直霍爾片的其中一片。視不同的傳感器型號(hào),客戶可以選擇想要的霍爾片組合。Bx和Bz活躍,或By和Bz活躍。另外,可選擇兩種輸出信號(hào)格式(脈寬調(diào)制或者模擬信號(hào))。
HAL36xy系列理想的應(yīng)用是上至360°的角度測(cè)量,比如方向盤(pán)角度測(cè)量。為此,主要使用一個(gè)徑向充磁的磁鐵(見(jiàn)圖2),和傳感器表面平行傳動(dòng)。兩個(gè)垂直霍爾片相互垂直放置,同時(shí)產(chǎn)生
圖2 徑向充磁的磁鐵平行于HAL36xy的表面轉(zhuǎn)動(dòng)
輸出信號(hào)和測(cè)得的角度是直接等比例的?;诜凑蟹治觯盆F的氣隙變化和磁鐵溫度反應(yīng)對(duì)改種測(cè)量方法影響極小。這些傳感器的設(shè)計(jì)工作溫度范圍是 –40℃到170℃(裸片溫度),并提供多種診斷功能。傳感器自帶的自檢在第一個(gè)通電旋轉(zhuǎn)圈進(jìn)行,確保傳感器線路功能正常。傳感器可以檢測(cè)到過(guò)壓或者欠壓 狀態(tài),并在輸出信號(hào)中表示出來(lái)。用戶也可以定義應(yīng)用的磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍。如果磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)了特定范圍,傳感器可以顯示出錯(cuò)信號(hào)。該范圍可以由用戶定義并編程。 對(duì)傳感器的編程是通過(guò)一個(gè)對(duì)用戶友好的圖形界面軟件工具來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
帶有垂直和水平霍爾片的HAL38xy主要用于線性位移應(yīng)用,測(cè)量距離可以比磁鐵長(zhǎng)度長(zhǎng)50%。用一個(gè)長(zhǎng)度為10mm的磁鐵,可以測(cè)量大于等于15mm的距離。在此應(yīng)用中,一個(gè)軸向充磁的磁鐵平行于傳感器表面運(yùn)動(dòng)(圖3)。用合適的磁鐵可以進(jìn)行更長(zhǎng)距離的測(cè)量。
圖3 軸向充磁的磁鐵平行于傳感器表面運(yùn)動(dòng)
在傳統(tǒng)的單維度測(cè)量傳感器應(yīng)用中,磁鐵長(zhǎng)度必須要設(shè)計(jì)成比被測(cè)量的位移長(zhǎng)30%。因而使用二維傳感器所相對(duì)增加的成本,會(huì)輕而易舉地被昂貴磁性材料的節(jié)約彌補(bǔ)掉。所以,在提升性能的同時(shí),也實(shí)現(xiàn)了成本優(yōu)勢(shì)。
HAL38xy另一個(gè)可能的應(yīng)用是在軸邊的角度測(cè)量。一個(gè)徑向充磁的磁鐵固定在軸上,在傳感器邊旋轉(zhuǎn)。如果兩個(gè)磁場(chǎng)反正切計(jì)算提供了理想的正弦余弦 相關(guān)曲線,反正切可以為角度提供一個(gè)線性關(guān)系。這并不是在所有的應(yīng)用中都可以實(shí)現(xiàn)的。理想的軸邊角度測(cè)量設(shè)置只能通過(guò)特殊的磁鐵實(shí)現(xiàn)。如使用傳統(tǒng)的磁鐵, 則需要在反正切計(jì)算之后再進(jìn)行線性化。為完成這一任務(wù),HAL38xy和HAL36xy提供了32點(diǎn)標(biāo)定來(lái)使得輸出信號(hào)線性化。
其他的傳感器制造商如今也再嘗試使用垂直霍爾技術(shù)(比如,霍爾開(kāi)關(guān)等簡(jiǎn)單產(chǎn)品),這一事實(shí)證明了該技術(shù)的吸引力。Micronas很早就實(shí)施了垂直 霍爾傳感器技術(shù),因而如今成為該領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。隨著下一代直接角度傳感器的推出,Micronas將擴(kuò)大其對(duì)市場(chǎng)的引領(lǐng)。新一代產(chǎn)品將有進(jìn)一步改善的 角度測(cè)量表現(xiàn),提供更高測(cè)量精度,更低的通量密度下限值,使產(chǎn)品可以在弱得多得到磁場(chǎng)中使用。
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