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東大發(fā)布面向RFID標簽等的研究成果

編輯：hattie 2010-07-08 13:41:10 瀏覽：1089 來源：日經(jīng)BP社

　　　　東京大學在有源矩陣型顯示器國際學會“AM-FPD 10”（2010年7月5～7日，在東京工業(yè)大學舉辦）上發(fā)布了應用于有機TFT的CMOS電路的研究成果（演講序號：S1-5）。此次就采用富勒烯（C60）的n型TFT獲得了27.7MHz截止頻率、采用并五苯（pentacene）的p型TFT獲得了11.4MHz截止頻率（獲得電流增益的頻率上限）。今后，如果通過縮短通道長度等改進方法，將這些截止頻率提高至100MHz左右，“便可利用有機TFT實現(xiàn)以1MHz以上頻率工作的CMOS電路”（東京大學納米量子信息電子研究機構(gòu)特任副教授北村雅季）。

　　　　在決定TFT截止頻率的多個要素中，采用C60的n型TFT及采用并五苯的p型TFT的載流子遷移率均可達到5cm2/Vs左右。要想應用于CMOS電路，余下的主要課題是如何控制縮短通道長度時的電阻增大問題。針對該問題，東京大學開發(fā)出了通過在Au源漏電極下插入AuNi層來減小接觸電阻的方法。此外，還通過利用有機分子修飾Au電極的表面來減小功函數(shù)，進一步改善了TFT的特性。其結(jié)果是，通道長度為2μm的C60-TFT與并五苯TFT的截止頻率分別提高到了10MHz以上。

　　　　該研究小組認為，基于有機TFT的CMOS電路有望應用于RFID標簽。據(jù)介紹，由于RFID標簽的數(shù)字電路截止頻率僅為100kHz左右，因此如果能夠利用有機TFT實現(xiàn)MHz工作，便可得到充分應用。