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　　在國際顯示器技術(shù)學(xué)會“16th International Display Workshops（IDW '09）”有源矩陣顯示器會議上，夏普的微晶硅-TFT液晶面板成了這次關(guān)注的焦點（論文序號AMD-2）。5年前，微晶硅-TFT在“SID（Society for Information Display）”學(xué)會上也曾名噪一時，但由于實際生產(chǎn)困難，最近幾乎銷聲匿跡。此次，隨著夏普親自試制面板，在面板中安裝掃描驅(qū)動電路和非晶Si（a-Si）TFT難以配備的多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）電路，再配合新聞發(fā)布會上的演示，外界對于“實際投產(chǎn)”的期待隨之點燃。

　　TFT的遷移率為1.5cm2/Vs左右，數(shù)字雖然不大，但據(jù)稱可靠性有大幅提升，可以應(yīng)用于有機EL面板用TFT底板和DeMUX電路。如果設(shè)計得當，120Hz驅(qū)動2K×4K面板也能夠?qū)崿F(xiàn)。由于只需優(yōu)化等離子CVD的成膜條件即可，因此，第10代（底板尺寸2880mm×3130mm）a-Si TFT生產(chǎn)線也可以采用。這樣，微晶硅-TFT就有望與氧化物TFT分庭抗禮，成為“新一代TFT的首選”。使用該TFT試制有機EL面板時，誤差和可靠性能夠達到什么程度？這一點十分令人期待。

　　該試制面板的參數(shù)如下。

　　屏幕尺寸　對角線12.1英寸

　　像素　WXGA（1280×RGB×800）

　　掃描驅(qū)動電路　內(nèi)置

　　1：3 DeMUX電路　內(nèi)置

　　驅(qū)動IC總數(shù)　2個

　　根據(jù)推測，該TFT沒有特別顯眼的耀斑和串擾，像素TFT特性良好。夏普在后續(xù)發(fā)表（論文序號AMD2-2）中還表示，通過結(jié)合準分子激光退火，微晶硅-TFT的特性（使遷移率達到2.2cm2/Vs）得到了提升。

　　低溫多晶硅（p-Si）TFT方面，臺灣統(tǒng)寶光電（TPO Displays ）發(fā)表了借助面板內(nèi)置型光電二極管實現(xiàn)背照燈自動亮度補償功能的TFT液晶面板（論文序號AMD1-3）。p-i-m(metal)結(jié)構(gòu)的堆棧型a-Si光電二極管利用低溫p-Si TFT制造工藝形成于面板內(nèi)。光電二極管的動態(tài)范圍達到了5～5.5萬勒克斯，能充分保證自動亮度補償功能的工作裕度。而且，a-Si光電二極管采用p-i-m結(jié)構(gòu)代替了p-i-n結(jié)構(gòu)，這使得工程量的增加降到了最小。面板內(nèi)置有配備工作閾值自我校正功能的比較器，只需完成控制器的初期設(shè)定，就能夠充分抑制面板間亮度補償靈敏度的偏差。

　　隨著驅(qū)動IC價格雪崩，板上系統(tǒng)的成本意義（即內(nèi)置驅(qū)動電路的意義）正在消失，對于面臨此局面的低溫p-Si TFT，這是一場能夠帶來新附加值的現(xiàn)實性發(fā)表。而且，該光電二極管還能夠應(yīng)用于內(nèi)嵌式觸摸屏。希望這在不遠的將來能夠?qū)崿F(xiàn)。

　　AMD會議上還有很多關(guān)于低溫p-Si TFT的有趣發(fā)表。東芝移動顯示器發(fā)表了內(nèi)置3bit像素內(nèi)存，借助亞像素電極面積的二進制加權(quán)實現(xiàn)D-A轉(zhuǎn)換的板上系統(tǒng)（論文序號AMD1-1）。夏普發(fā)表了利用PNLC將驅(qū)動頻率降低至1Hz，通過配合內(nèi)置像素內(nèi)存實現(xiàn)96×96像素10～30μW超低功耗的板上系統(tǒng)（論文序號AMD1-2）。臺灣友達光電（AUO）發(fā)表了內(nèi)置非揮發(fā)性內(nèi)存的低溫p-Si TFT液晶面板（論文序號AMD1-4L）。（日經(jīng)BP社）