在國際顯示器技術(shù)學(xué)會(huì)“16th International Display Workshops(IDW '09)”有源矩陣顯示器會(huì)議上,夏普的微晶硅-TFT液晶面板成了這次關(guān)注的焦點(diǎn)(論文序號(hào)AMD-2)。5年前,微晶硅-TFT在“SID(Society for Information Display)”學(xué)會(huì)上也曾名噪一時(shí),但由于實(shí)際生產(chǎn)困難,最近幾乎銷聲匿跡。此次,隨著夏普親自試制面板,在面板中安裝掃描驅(qū)動(dòng)電路和非晶Si(a-Si)TFT難以配備的多路分配器(DeMUX:De-multiplexer)電路,再配合新聞發(fā)布會(huì)上的演示,外界對(duì)于“實(shí)際投產(chǎn)”的期待隨之點(diǎn)燃。
TFT的遷移率為1.5cm2/Vs左右,數(shù)字雖然不大,但據(jù)稱可靠性有大幅提升,可以應(yīng)用于有機(jī)EL面板用TFT底板和DeMUX電路。如果設(shè)計(jì)得當(dāng),120Hz驅(qū)動(dòng)2K×4K面板也能夠?qū)崿F(xiàn)。由于只需優(yōu)化等離子CVD的成膜條件即可,因此,第10代(底板尺寸2880mm×3130mm)a-Si TFT生產(chǎn)線也可以采用。這樣,微晶硅-TFT就有望與氧化物TFT分庭抗禮,成為“新一代TFT的首選”。使用該TFT試制有機(jī)EL面板時(shí),誤差和可靠性能夠達(dá)到什么程度?這一點(diǎn)十分令人期待。
該試制面板的參數(shù)如下。
屏幕尺寸 對(duì)角線12.1英寸
像素 WXGA(1280×RGB×800)
掃描驅(qū)動(dòng)電路 內(nèi)置
1:3 DeMUX電路 內(nèi)置
驅(qū)動(dòng)IC總數(shù) 2個(gè)
根據(jù)推測,該TFT沒有特別顯眼的耀斑和串?dāng)_,像素TFT特性良好。夏普在后續(xù)發(fā)表(論文序號(hào)AMD2-2)中還表示,通過結(jié)合準(zhǔn)分子激光退火,微晶硅-TFT的特性(使遷移率達(dá)到2.2cm2/Vs)得到了提升。
低溫多晶硅(p-Si)TFT方面,臺(tái)灣統(tǒng)寶光電(TPO Displays )發(fā)表了借助面板內(nèi)置型光電二極管實(shí)現(xiàn)背照燈自動(dòng)亮度補(bǔ)償功能的TFT液晶面板(論文序號(hào)AMD1-3)。p-i-m(metal)結(jié)構(gòu)的堆棧型a-Si光電二極管利用低溫p-Si TFT制造工藝形成于面板內(nèi)。光電二極管的動(dòng)態(tài)范圍達(dá)到了5~5.5萬勒克斯,能充分保證自動(dòng)亮度補(bǔ)償功能的工作裕度。而且,a-Si光電二極管采用p-i-m結(jié)構(gòu)代替了p-i-n結(jié)構(gòu),這使得工程量的增加降到了最小。面板內(nèi)置有配備工作閾值自我校正功能的比較器,只需完成控制器的初期設(shè)定,就能夠充分抑制面板間亮度補(bǔ)償靈敏度的偏差。
隨著驅(qū)動(dòng)IC價(jià)格雪崩,板上系統(tǒng)的成本意義(即內(nèi)置驅(qū)動(dòng)電路的意義)正在消失,對(duì)于面臨此局面的低溫p-Si TFT,這是一場能夠帶來新附加值的現(xiàn)實(shí)性發(fā)表。而且,該光電二極管還能夠應(yīng)用于內(nèi)嵌式觸摸屏。希望這在不遠(yuǎn)的將來能夠?qū)崿F(xiàn)。
AMD會(huì)議上還有很多關(guān)于低溫p-Si TFT的有趣發(fā)表。東芝移動(dòng)顯示器發(fā)表了內(nèi)置3bit像素內(nèi)存,借助亞像素電極面積的二進(jìn)制加權(quán)實(shí)現(xiàn)D-A轉(zhuǎn)換的板上系統(tǒng)(論文序號(hào)AMD1-1)。夏普發(fā)表了利用PNLC將驅(qū)動(dòng)頻率降低至1Hz,通過配合內(nèi)置像素內(nèi)存實(shí)現(xiàn)96×96像素10~30μW超低功耗的板上系統(tǒng)(論文序號(hào)AMD1-2)。臺(tái)灣友達(dá)光電(AUO)發(fā)表了內(nèi)置非揮發(fā)性內(nèi)存的低溫p-Si TFT液晶面板(論文序號(hào)AMD1-4L)。(日經(jīng)BP社)
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