在顯示器技術(shù)國際學(xué)會“16th International Display Workshops(IDW '09)”的氧化物TFT分會上,夏普就首次試制的氧化物TFT液晶面板進(jìn)行了技術(shù)發(fā)表(論文序號AMD7-4)。日本的大型廠商追趕面板試制開發(fā)處于領(lǐng)先地位的韓國廠商,這對日本未來的發(fā)展是一件值得欣喜的事情。在開發(fā)者見面會(Authors interview)上演示的2.6英寸QVGA(320×240像素)面板的完成度也很高,由此可以看出夏普為開發(fā)該產(chǎn)品進(jìn)行了全力投入。
TFT結(jié)構(gòu)為傳統(tǒng)的反向通道蝕刻(Back Channel Etch)型。氧化物半導(dǎo)體采用IGZO(In-Ga-Zn-O)。
特性偏差方面,通過對320mm×400mm底板上的21個點進(jìn)行測量,遷移率μ=13.4±0.9cm2/Vs(σ=0.5),閾值電壓Vth=3.0±0.4V(σ=0.2)。對于人們關(guān)心的可靠性,夏普稱基于DC偏壓應(yīng)力的Vth偏移在25℃下為非晶硅(a-Si)TFT的1/4左右程度,在85℃下是其1/10左右?;诿}沖偏壓的Vth偏移在60℃下為a-Si TFT的70%左右。該公司稱,作為液晶面板工作時,在60℃條件下,其TFT特性1000小時內(nèi)不會發(fā)生變化。
另外,雖然論文集(Proceedings)中沒有紀(jì)錄,但夏普還介紹說,利用該IGZO TFT試制出了與前一天發(fā)布的微晶硅TFT液晶面板(參閱本站報道)相同的微晶硅TFT12.1英寸WXGA面板,并進(jìn)行了現(xiàn)場演示。遺憾的是該公司并沒有在開發(fā)者見面會上進(jìn)行演示,面板的參數(shù)如下。
面板尺寸:對角12.1英寸
像素:WXGA(1280×RGB×800)
掃描驅(qū)動電路:內(nèi)置
1:3 DeMUX電路:內(nèi)置
驅(qū)動IC總數(shù):2個
從面板的特性及可靠性方面來看,雖然內(nèi)置掃描驅(qū)動電路及多路分配器(DeMUX:De-multiplexer)電路的難度較高,但不久的將來也有可能實現(xiàn)。此次的技術(shù)發(fā)布中提到了論文中沒有提及的面板,這說明開發(fā)速度非常快,今后還有望開發(fā)出新面板。
盡管氧化物TFT分會是在學(xué)會最后一天的下午舉辦的,但與會者非常多,氣氛十分熱烈。在開發(fā)者見面會上,與會者積極進(jìn)行討論,足以感受人們對該領(lǐng)域的期待程度。(日經(jīng)BP社)
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