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3月31日，寧波江豐電子材料股份有限公司（以下簡稱“江豐電子”）擬“向特定對象發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市募集資金投資項目”申請獲深圳證券交易所受理。

據了解，江豐電子自成立以來專注于高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產和銷售業(yè)務，主要產品為全系列的高純金屬濺射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、銅靶等。公司靶材產品主要應用于包括半導體、平板顯示、太陽能電池等領域。公司主營業(yè)務為高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產和銷售，主要產品為各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶和銅靶等，這些產品主要應用于超大規(guī)模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料。

目前，江豐電子產品主要應用于半導體、平板顯示器及太陽能電池等領域。在超大規(guī)模集成電路用高純金屬靶材領域，公司成功打破美國、日本跨國公司的壟斷格局，填補了國內電子材料行業(yè)的空白。

在鋁靶板塊，高純鋁及鋁合金是目前使用最為廣泛的導電層薄膜材料之一。在其應用領域中，超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求最高，通常要求達到99.9995%（5N5）以上，平板顯示器、太陽能電池用鋁靶的金屬純度略低，分別要求達到99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上。目前，江豐電子生產的鋁靶已經廣泛應用于半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域。

鈦靶及鈦環(huán)板塊，在超大規(guī)模集成電路芯片中，鈦是較為最為常用的阻擋層薄膜材料之一（相應的導電層薄膜材料為鋁）。在先端芯片制造工藝中，鈦環(huán)件要與鈦靶配套使用，其主要功用是輔助鈦靶完成濺射過程。目前，江豐電子生產的鈦靶、鈦環(huán)主要應用于超大規(guī)模集成電路芯片制造領域。

在鉭靶及鉭環(huán)板塊，在最尖端的超大規(guī)模集成電路芯片中，鉭是阻擋層薄膜材料之一（相應的導電層薄膜材料為銅）。鉭作為阻擋層通常用于90納米以下技術節(jié)點的先端芯片中，所以鉭靶及其環(huán)件是制造技術難度較高、品質保證要求較嚴的靶材產品，之前也僅有美國和日本的少數(shù)幾家跨國公司（即霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等）能夠生產。隨著國際市場對智能手機、平板電腦等消費類電子產品需求量的爆炸式增長，高端芯片的需求大幅增加，鉭靶的需求量也大幅增長。除鉭靶外，江豐電子還生產鉭環(huán)，其主要作用是輔助鉭靶完成濺射過程。目前江豐電子生產的鉭靶及鉭環(huán)組件主要用于超大規(guī)模集成電路領域。

在銅靶、銅環(huán)及銅陽極板塊，高純銅及銅合金是目前使用最為廣泛的導電層薄膜材料之一。在其應用領域中，超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求最高，通常要求達到99.9999%（6N）以上，平板顯示器、太陽能電池用銅靶的金屬純度略低，分別要求達到99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上。銅及銅合金作為導電層通常用于90納米以下技術節(jié)點的先端芯片中。目前，公司生產的銅及銅合金靶主要用于超大規(guī)模集成電路芯片和平板顯示器制造領域。

本次募資額16.5億元（含本數(shù)），將投建半導體靶材等項目

本次在考慮從募集資金總額中扣除150萬元的財務性投資因素后，向特定對象發(fā)行股票的募集資金總額將調減至不超過165,000萬元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后擬將全部用于以下項目：

江豐電子表示，公司自成立以來一直從事高純?yōu)R射靶材的研發(fā)、生產和銷售業(yè)務，主要產品為高純?yōu)R射靶材，主要應用于包括半導體、平板顯示、太陽能電池等領域。公司本次發(fā)行募集資金投向的產能建設項目全部圍繞公司現(xiàn)有主營業(yè)務中半導體領域高純?yōu)R射靶材擴產展開，是公司為順應產業(yè)發(fā)展趨勢、滿足下游客戶日益擴張的產品需求、推進靶材國產替代而做出的重要布局，有利于突破產能瓶頸，擴大業(yè)務規(guī)模，提升研發(fā)實力，鞏固公司的市場地位，促進公司可持續(xù)發(fā)展。公司前次募集資金主要投向公司主營業(yè)務中平板顯示領域高純?yōu)R射靶材及機臺零部件，與本次募集資金投向項目的產品及其下游應用領域不同，不存在重復建設的情形。

本次募集資金投資項目的具體情況：

（一）寧波江豐電子年產5.2萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產業(yè)化項目

建設地點：浙江省寧波市余姚市低塘街道歷石線西側

建設內容：本項目總投資額為100,867.12萬元，擬使用募集資金78,139.00萬元。本項目將建設公司在浙江余姚的第二個生產基地，進一步提高公司集成電路用高純鋁靶材、高純鈦靶材及環(huán)件、高純鉭靶材及環(huán)件等主要產品規(guī)?；a能力。

（二）浙江海寧年產1.8萬個超大規(guī)模集成電路用超高純金屬濺射靶材產業(yè)化項目

建設地點：浙江省嘉興市海寧市尖山新區(qū)鳳凰路東側、杭州灣大道南側

建設內容：本項目總投資額為40,783.18萬元，擬使用募集資金31,696.10萬元。本項目將建設公司在浙江海寧的生產基地，進一步提高公司集成電路用高純銅靶材及環(huán)件、銅陽極等主要產品規(guī)模化生產能力。

（三）寧波江豐電子半導體材料研發(fā)中心建設項目

建設地點：浙江省寧波市余姚市低塘街道歷石線西側

建設內容：本項目總投資額為7,192.60萬元，擬使用募集資金7,192.60萬元。本項目將建設公司的研發(fā)中心，進一步提升公司的技術實力和產品的國際競爭力。