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　　相比傳統(tǒng)LCD、OLED，Micro LED具有高解析度、低功耗、高亮度、高對(duì)比、高色彩飽和度、反應(yīng)速度快、厚度薄、壽命長(zhǎng)等特性，被認(rèn)為是未來(lái)顯示技術(shù)的主流方向，在VR/AR、高清、柔性、穿戴式等顯示領(lǐng)域有著極高的應(yīng)用潛力。

　　Micro LED顯示器是由數(shù)百萬(wàn)個(gè)三色RGB芯片組成的。通常來(lái)說(shuō)，受限于外延生長(zhǎng)技術(shù)，在大面積外延基板上同時(shí)生長(zhǎng)高質(zhì)量的三色RGB芯片極為困難，因此需要將生長(zhǎng)在外延基板上數(shù)百萬(wàn)甚至數(shù)千萬(wàn)顆微米級(jí)的三色RGB芯片依次轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路基板上，實(shí)現(xiàn)RGB排布。

　　三色RGB芯片轉(zhuǎn)移示意圖

　　然而，由于Micro LED的特征尺寸小于100μm，傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術(shù)在轉(zhuǎn)移效率、轉(zhuǎn)移精度上很難達(dá)到要求。傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術(shù)對(duì)單顆芯片的尺寸要求存在物理極限，芯片太小無(wú)法轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)移精度也難以滿足；機(jī)械臂在芯片轉(zhuǎn)移的過(guò)程中也存在時(shí)間極限，轉(zhuǎn)移效率難以提高，這意味著傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移技術(shù)及設(shè)備已無(wú)法適配Micro LED轉(zhuǎn)移制程。

　　面對(duì)以上技術(shù)挑戰(zhàn)，為實(shí)現(xiàn)快速且精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移及減少后續(xù)檢修壓力，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)已被證明是能夠克服組裝Micro LED芯片極端要求的有效解決方案。Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備是采用激光轉(zhuǎn)移技術(shù)，利用特殊整形后的方形光斑，結(jié)合高速振鏡掃描，可以實(shí)現(xiàn)高速加工，將微米級(jí)Micro LED芯片逐一轉(zhuǎn)移到下層基板（玻璃或者膜材）上。Micro LED巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備是Micro LED生產(chǎn)過(guò)程中的核心裝備之一，是影響Micro LED的良率與制造成本的關(guān)鍵。

　　Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)示意圖

　　大族半導(dǎo)體自2019年開(kāi)始對(duì)激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)進(jìn)行布局，探索應(yīng)對(duì)Micro LED芯片轉(zhuǎn)移要求的關(guān)鍵解決方案，于2021年11月，自主研發(fā)并推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)固體Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備；于2022年10月，自主研發(fā)并推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)準(zhǔn)分子Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備，均通過(guò)頭部客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)銷售。

　　Micro LED激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備

　　設(shè)備特點(diǎn)：

　　利用整形后的光斑，選擇性的將芯片轉(zhuǎn)移到下基板；

　　芯片落位精準(zhǔn)，且無(wú)損傷；

　　可以實(shí)現(xiàn)全部轉(zhuǎn)移和任意位置的轉(zhuǎn)移。

　　加工效果：

　　大族半導(dǎo)體將持續(xù)憑借相對(duì)全面的布局與整合能力，為Micro LED提高更強(qiáng)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，加快Micro LED商業(yè)化發(fā)展步伐。未來(lái)，大族半導(dǎo)體也將不斷優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局與完善自身產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，堅(jiān)持對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)始終如一的高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求，持續(xù)自主創(chuàng)新發(fā)展理念，與行業(yè)共同進(jìn)步，協(xié)同發(fā)展。