国产精品视频播放更新_亚洲精品中文综合_凌晨三点3免费观看_无码A级免费毛片视频_综合久久网

　　根據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)5月23日報(bào)導(dǎo)，韓國政府已正式向美國表明，希望能重新檢視美國芯片與科學(xué)法案資金補(bǔ)助的附帶條件，以進(jìn)一步放寬當(dāng)前已經(jīng)在美國投資的韓國半導(dǎo)體廠商，未來在中國的擴(kuò)產(chǎn)限制。

　　報(bào)導(dǎo)指出，韓國政府已經(jīng)在5月 23 日對美國商務(wù)部提出正式要求，要美國政府針對芯片與科學(xué)法案提供資金補(bǔ)助的附帶條件重新檢視，因?yàn)檫@些條件關(guān)系著韓國半導(dǎo)體廠商未來在中國發(fā)展的關(guān)鍵。韓國政府表示，美國芯片與科學(xué)法案資金補(bǔ)助的附帶條件不應(yīng)給已經(jīng)在美國進(jìn)行投資的公司帶來不合理的壓力與負(fù)擔(dān)。

　　根據(jù)美國芯片與科學(xué)法案資金補(bǔ)助的附帶條件規(guī)定，接受美國政府資金補(bǔ)助的企業(yè)，未來 10 年在中國或被關(guān)注的國家產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)，先進(jìn)制程僅準(zhǔn)許增加 5%，成熟制程則僅允許增加 10%。對此，韓國政府要求美國對先進(jìn)制程的產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)限制要提高到 10%。

　　至于，針對先進(jìn)與成熟半導(dǎo)體制程的區(qū)別，美國商務(wù)部的定義是邏輯芯片生產(chǎn)制程低于 28 奈米以下、DRAM 制程低于 18 奈米以下、NAND Flash 快閃存儲器高于 128 層堆棧者就屬于先進(jìn)半導(dǎo)體制程，反之就是成熟半導(dǎo)體制程。而做出這樣的限制，美國的目的就是要限制中國在先進(jìn)半導(dǎo)體制程上的發(fā)展。

　　報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，韓國政府會對美國提出對芯片與科學(xué)法案提供資金補(bǔ)助的附帶條件重新審視，是因?yàn)槟壳耙呀?jīng)在美國進(jìn)行投資的韓國三星與 SK 海力士兩大半導(dǎo)體廠商，旗下在中國都有龐大的產(chǎn)線。

　　其中，三星在中國西安有一座 NAND Flash 快閃存儲器工廠，在蘇州也有一座芯片封裝廠。而三星的西安工廠產(chǎn)能，占該公司全球 NAND Flash 快閃存儲器近 40% 的產(chǎn)能。另外，SK 海力士在無錫有一座 DRAM 工廠，在大連經(jīng)營一家 NAND Flash 快閃存儲器工廠，在重慶則有一座芯片封裝廠。當(dāng)中， SK 海力士的無錫工廠，生產(chǎn)該公司全球 48% 的 DRAM。

　　2022 年 10 月，美國政府公布了對中國半導(dǎo)體的全面出口管制，同時(shí)給予韓國相關(guān)企業(yè)公司一年的暫緩期，允許期間內(nèi)升級在中國的產(chǎn)線設(shè)施。而鑒于一年寬限期即將結(jié)束，三星和 SK 海力士燈已經(jīng)停止了在中國的新投資，同時(shí)等待美國的下一步行動。另外，韓國方面還要求美國在最終確定附帶條件前，除積極考慮其他意見，還希望就相關(guān)問題繼續(xù)進(jìn)行雙邊的密切溝通和。根據(jù)規(guī)定，美國商務(wù)部在審查相關(guān)各方提交的意見后，計(jì)劃在年底前公布最終規(guī)則。