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序號

需求編號

需求名稱

研究內(nèi)容

聯(lián)合開發(fā)目標

發(fā)布單位

1

202301-1

半導體顯示領域知識體系與大模型開發(fā)

（1）開發(fā)半導體顯示領域知識庫

（2）開發(fā)半導體顯示領域的評測體系

（3）大模型體系的訓練與微調(diào)

（4）大模型的部署使用、迭代更新及維護

以一套專業(yè)系統(tǒng)的形式體現(xiàn), 擬設立基礎及專業(yè)定制版兩個版本, 面向領域內(nèi)使用, 并可開展對外服務

國家新型顯示技術創(chuàng)新中心本部

2

202301-2

高性能藍色量子點材料與器件開發(fā)

（1）高性能藍色量子點關鍵材料開發(fā)

（2）藍色QLED器件關鍵功能材料開發(fā)

（3）藍色QLED器件開發(fā)及衰減機制研究

（4）藍色QLED打印器件與工藝關鍵技術開發(fā)

• 旋涂藍色QLED器件：CIE.y<0.06, 亮度1000 nits：CE≥12cd/A, LT95≥600h
• 打印藍色QLED器件：CIE.y<0.06, 亮度1000 nits：CE≥10cd/A , LT95≥300h

國家新型顯示技術創(chuàng)新中心本部

3

202302-1

電潤濕電子紙用關鍵氟樹脂材料開發(fā)

（1）無定形含氟聚合物合成技術

（2）面向電潤濕顯示無定形含氟聚合物可控關鍵制備技術

（3）含氟聚合物的放大生產(chǎn)關鍵技術

• 介電常數(shù)≥ 2.0
• 接觸角≥ 120 ± 5°C
• 透光率≥ 99 %
• 玻璃化溫度：130~150°C
• 溶液粘度：100~1000 cps

反射式顯示創(chuàng)新平臺：華南師范大學

4

202303-1

超高遷移率氧化物TFT開發(fā)

1. 高遷移率、高穩(wěn)定性稀土摻雜氧化物半導體材料、器件、驅(qū)動與集成關鍵技術

（2）稀土摻雜氧化物TFT器件結構及界面優(yōu)化關鍵技術

（3）低功耗、高密度像素陣列集成及封裝技術

• µ≥100 cm²/V?s, V_th≤ 1.5 V, I_on/I_off≥10⁸, SS≤200 mV/dec；
• PBTS Delta V_th ≤ 1.0V（測試條件V_gs=20 V, V_ds=0.1 V, 溫度=60℃）
• NBITS Delta V_th ≤2.0 V（測試條件V_gs=-20 V, V_ds=0.1 V，溫度=60 ℃，白光照射亮度≥6000 nits）
• 最高支持到360Hz動態(tài)刷新率氧化物驅(qū)動背板

TFT技術創(chuàng)新平臺：廣州新視界光電科技有限公司，華南理工大學

5

202304-1

掃描探針顯微及光譜檢測方法與裝置研發(fā)

（1）高精度、高效率掃描探針成像關鍵技術

（2）針尖近場光場分布及光場漩渦理論探究

（3）顯示器件材料的振動光譜分析關鍵技術

（4）顯示器件載流子輸運、復合過程及機理研究

（5）顯示器件輻射發(fā)光、激子衰變過程及機理研究

• 超分辨掃描探針顯微及光譜檢測設備1套
• 設備空間分辨率優(yōu)于10nm
• 設備光譜分辨率優(yōu)于0.1nm

顯示裝備創(chuàng)新平臺：季華實驗室。

6

202304-2

新型柔性OLED器件空間型ALD封裝技術開發(fā)

1. 高均勻性、高致密、高透光、低應力、

高速率無機薄膜沉積技術

（2）高速動態(tài)流場控制技術

開發(fā)一套空間型ALD設備, 封裝薄膜可實現(xiàn)以下性能:

• 水汽透過率≤ 10^-4g/m²/day@100nm
• 成膜速率≥ 20nm/min
• 厚度非均勻性＜ ± 5%@100nm
• 內(nèi)應力＜ ± 100Mpa@100nm
• 可見光透過率 ＞ 97%@100nm
• 臺階覆蓋率 ＞ 90%

顯示裝備創(chuàng)新平臺：季華實驗室。

7

202305-1

高PPI FMM Mask開發(fā)

（1）高精度FMM Mask基材（InVar合金或鐵鎳合金）開發(fā)技術

（2）高精度FMM Mask圖案化方案（電鍍或激光刻蝕）

（3）高精度FMM Mask制作工藝

像素密度達到1500PPI的FMM Mask

蒸鍍OLED創(chuàng)新平臺：維信諾科技股份有限公司

8

202305-2

顯示用可拉伸導電材料開發(fā)

（1）超高拉伸率導電材料開發(fā)

（2）適用拉伸顯示低電阻關鍵技術開發(fā)

• 拉伸率：20%~50%，電阻變化率≤ 15%
• 拉伸回復率≥ 99%

蒸鍍OLED創(chuàng)新平臺：云谷（固安）科技有限公司

9

202306-1

超高密度GaN

 Micro-LED微顯示

（1）高質(zhì)量GaN Micro-LED外延材料生長關鍵技術

（2）高性能Micro-LED器件的設計與制備技術

（3）Micro-LED與CMOS背板鍵合集成技術

（4）基于硅基CMOS的Micro-LED顯示樣機集成技術

• 單個GaN Micro-LED像素的臺面尺寸為5μm×5μm（max：6μm×6μm），臺面中心間距不大于8μm
• 0.7吋顯示樣機像素分辨率為1920×1080（像素密度超過3000PPI）、可視角度：80°/80°/80°/80°、亮度不小于300,000 cd/m²
• Micro-LED樣機可工作溫度：-20℃～+60℃

Micro-LED顯示創(chuàng)新平臺：福州大學、閩都創(chuàng)新實驗室

10

202301-3

基于噴墨打印工藝的Mini-LED顯示封裝技術開發(fā)

（1）Mini-LED顯示用打印封裝黑色掩膜材料開發(fā)

（2）Mini-LED顯示基板、芯片及掩膜材料適配技術開發(fā)

（3）適用于Mini-LED顯示用噴墨打印關鍵工藝技術開發(fā)

• 掩膜厚度：5-50μm
• 厚度均一性：≤7%@5-20μm，≤10%@20-50μm
• 邊緣線性精度：≤ ± 15μm
• Mura要求：無線性Mura
• Mini-LED芯片上表面無墨水材料殘留

國家新型顯示技術創(chuàng)新中心本部。

11

202307-1

激光顯示用高功率藍光半導體激光器

（1）大失配異質(zhì)結激光材料設計、生長和調(diào)控關鍵技術

（2）載流子的泄漏抑制、光增益增強與光損耗抑制技術

（3）器件可靠性提升及應用技術

• 藍光 LD 激光器功率≥ 6W
• 激光器波長 460nm ± 5nm
• 激光器壽命≥ 10000h

激光顯示創(chuàng)新平臺：中國科學院理化技術研究所，杭州中科極光科技有限公司