1、引言
OLED(organic electrical emitting device，有機電致發(fā)光器件)有源驅動陣列在每個單元像素內都集成有兩個或多個薄膜晶體管[1 ，2] ，以驅動發(fā)光點陣，從而能在整個幀周期內為像素提供持續(xù)的工作信號。有源驅動克服了無源驅動方式中使用占空比小的脈沖信號驅動帶來的問題[3]，有利于實現(xiàn)OLED大面積、高分辨率顯示。在OLED的a-Si TFT有源驅動電路的設計過程中，我們采用了在每個單元像素中包含有2個TFT(thin film transistor薄膜晶體管)的驅動電路形式[4～6]，如圖1所示。由于外界信號的異常變化，掃描線(scanning line)、數(shù)據(jù)線(data line)和電源線上(source line)時常會帶來突發(fā)的高電壓，同時在TFT陣列和OLED制作過程中，因為一些操作中的摩擦，也會帶來高達幾萬伏的靜電壓，這些偶發(fā)的異常電壓信號都會直接作用在T1 管或T2管的柵極上，擊穿柵絕緣介質，導致器件徹底損壞。所以在T1、T2柵極外側必須加一些保護電路，同時為了防止由電源線上來的高壓信號擊穿OLED，在電源線上加保護電路也很有必要。常見的柵保護電路有：二極管柵保護電路、源漏擊穿保護、場致反型保護、柵調制擊穿保護等[7]。由于源漏擊穿是可恢復的，并考慮到外圍保護電路與驅動陣列工藝上一致性，我們選擇了源漏擊穿保護的形式，利用a-Si (amorphous silicon 非晶硅)TFT的擊穿特性，設計保護電路。
2、模擬與分析
2.1 TFT源漏擊穿模型的建立
TFT在工作狀態(tài)時，當TFT源漏電壓Vds到達一定值后，在繼續(xù)升高電壓的過程中，漏極電流Ids開始急劇增大，此時源漏發(fā)生了擊穿。而且隨著柵源電壓Vgs的增加，出現(xiàn)這種現(xiàn)象時的Vds值逐次升高。
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