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　　2010年2月7日，也就是半導(dǎo)體電路技術(shù)國(guó)際會(huì)議“ISSCC 2010”演講開(kāi)始的前一天，以三維半導(dǎo)體技術(shù)為核心的技術(shù)論壇“Silicon 3D-Integration Technology and Systems”召開(kāi)。其中備受關(guān)注的是韓國(guó)三星電子發(fā)表的“TSV Technology and its Application to DRAM”。三星電子從03年開(kāi)始研發(fā)TSV（through silicon via），并探討該產(chǎn)品在DRAM及閃存上的應(yīng)用。

　　三星表示，尤其是在移動(dòng)DRAM及圖形DRAM方面，TSV的重要性不斷提高。在移動(dòng)DRAM方面，09年前后導(dǎo)入了LPDDR2接口產(chǎn)品（單芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度為3.2GB/秒）。2013年前后亮相的新一代移動(dòng)DRAM的單芯片數(shù)據(jù)傳輸速度要求達(dá)到12.8GB/秒。并且，單個(gè)內(nèi)存芯片的耗電量“需要控制在0.5W以下”（三星）。這就要求兼顧數(shù)據(jù)傳輸速度和耗電量，“現(xiàn)有的單端方式的LPDDR2 DRAM無(wú)法實(shí)現(xiàn)。而比較有效的方法是在微處理器芯片上直接層積多個(gè)基于TSV、具有數(shù)百個(gè)輸入輸出端子的DRAM芯片”（三星）。三星稱(chēng)，這種內(nèi)存系統(tǒng)的TSV數(shù)量超過(guò)1000個(gè)。

　　關(guān)于圖形DRAM，從兼顧數(shù)據(jù)傳輸速度及耗電量的角度來(lái)看，預(yù)計(jì)在不久的將來(lái)，現(xiàn)有技術(shù)就會(huì)碰到極限。關(guān)于GDDR5接口的新一代產(chǎn)品，三星表示“系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸速度要求達(dá)到512GB/秒以上，內(nèi)存容量要求達(dá)到2GB以上”?，F(xiàn)有的單端GDDR5 DRAM要想實(shí)現(xiàn)這一要求，“需使用16個(gè)單端子的、數(shù)據(jù)傳輸速度為8Gbit/秒的1Gbit產(chǎn)品，這是不現(xiàn)實(shí)的”（三星）。作為解決對(duì)策，“比較可行的方法是在GPU上層積多個(gè)圖形DRAM，然后利用TSV使其實(shí)現(xiàn)相互連接”（三星）。