旺宏(2337)昨(30)日法說(shuō)會(huì)公布首季稅后凈損12.85億元,虧損幅度較前一季與去年同期均收斂,單季每股凈損0.36元。
旺宏董事長(zhǎng)吳敏求表示,36納米制程產(chǎn)能恐供不應(yīng)求,規(guī)劃增加相關(guān)資本支出。
2012年首季開始陷入虧損,吳敏求期許,旺宏在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)轉(zhuǎn)虧為盈,預(yù)計(jì)在明年第4季開始賺錢。
旺宏首季唯讀式存儲(chǔ)器(ROM)營(yíng)收占比降到19%,45納米4G/8G Hybrid memory產(chǎn)品首季開始出貨。編碼型快閃存儲(chǔ)器(NOR Flash)首季營(yíng)收占比為68%,75納米制程產(chǎn)品占NOR Flash營(yíng)收約三成,55納米512Mb工程樣品已開始送樣認(rèn)證,預(yù)計(jì)下半年可開始出貨。
旺宏也切入低容量NAND Flash產(chǎn)品開發(fā)。吳敏求說(shuō),供應(yīng)車用電子的75納米1Gb NAND產(chǎn)品已于首季送樣,4月也首度接到通訊應(yīng)用36納米4Gb SLC NAND的訂單。旺宏NAND Flash業(yè)績(jī)目前基期仍低,因此在過(guò)去幾季都呈現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng),吳敏求預(yù)期下半年成長(zhǎng)更為顯著。
吳敏求也提到,8Gb以下SLC NAND的市場(chǎng)規(guī)模約20億美元(約新臺(tái)幣600億元),未來(lái)兩、三年,低容量SLC NAND Flash與高容量NOR Flash產(chǎn)品將會(huì)是旺宏的兩大成長(zhǎng)動(dòng)能。
旺宏原先估計(jì)今年資本支出約25億至26億元,因接獲新訂單,擔(dān)心36納米制程產(chǎn)能不足,正規(guī)劃擴(kuò)產(chǎn),資本支出預(yù)期將增加。
吳敏求估計(jì),旺宏今年上、下半年的營(yíng)收占比,約是3:7或4:6。旺宏上半年處于淡季,首季合并營(yíng)收為47.9億元,季減18%,與去年同期相較則增加9%。因產(chǎn)品銷售組合較佳,毛利率提升到18%。到3月底為止,旺宏每股凈值為7.87元。
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