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IDT最新IQ調(diào)制器可直接連接雙模DAC

編輯:admin 2014-06-10 15:32:32 瀏覽:785  來源:電子工程專輯

  擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司Integrated Device Technology, Inc.)日前宣布,針對(duì)目前的無線產(chǎn)品推出業(yè)內(nèi)功耗最低和線性最高的IQ調(diào)制器。與同類產(chǎn)品相比,IDTF1650可直接連接高性能雙模數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),降低功耗達(dá)50%,IM3失真降低12dB。這款器件是要求超低功耗的高性能LTE多輸入多輸出(MIMO)無線通信系統(tǒng)的理想選擇。

  在典型的多模、多載波基站發(fā)射器中,調(diào)制器線性有限且功耗較高,在數(shù)字預(yù)失真環(huán)境下對(duì)系統(tǒng)的鄰道泄漏比(ACLR)和功耗預(yù)算帶來負(fù)面影響。IDTF1650內(nèi)置Zero-Distortion技術(shù),消除了這些缺陷,使工程師們能夠在很低功耗 [500 mW] 下獲得很高的OIP2 [60 dBm] 和OIP3 [35 dBm]。

  IDT副總裁兼時(shí)鐘和RF部門總經(jīng)理 Dave Shepard 表示:“IDTF1650是我們不斷豐富的先進(jìn)RF器件系列的新成員,將幫助我們的客戶開發(fā)領(lǐng)先市場(chǎng)的產(chǎn)品。我們的新低功耗IQ調(diào)制器解決了工程師們目前面臨的最大挑戰(zhàn),使他們能夠?qū)崿F(xiàn)日益嚴(yán)格的功耗和性能預(yù)期。”

  通過IDTF1650運(yùn)行MIMO可節(jié)約高達(dá)4瓦功耗,帶來更好的頻譜性能,并改進(jìn)誤差向量幅度(EVM)。該器件可帶來超高線性度和3dB功耗增益,同時(shí)只增加極少噪音,且能夠直接與主流的JESD204B和DDR DACs連接。

  IDTF1650采用4x4 mm 24-ld VFQFPN緊湊封裝。

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