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飛思卡爾推出其第二代Airfast功率放大器解決方案

編輯:admin 2014-06-15 12:18:32 瀏覽:980  來(lái)源:華強(qiáng)電子網(wǎng)

  近日,飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案,為高級(jí)無(wú)線架構(gòu)設(shè)備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應(yīng)用)提供了全新級(jí)別的性能。

飛思卡爾推出其第二代Airfast功率放大器解決方案0

  飛思卡爾最新的Airfast系列RF功率解決方案基于成功且具備卓越性能的上一代產(chǎn)品,包含了28V獨(dú)立和單級(jí)功率放大器。在充分利用并增強(qiáng)了第一代Airfast電路、模具、匹配網(wǎng)絡(luò)和封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上,飛思卡爾憑借新一代Airfast技術(shù)(包括首次推出RF功率LDMOS部件從而在Doherty配置中提高50%的效率)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)的又一里程碑。此外,第二代Airfast功率放大器還擴(kuò)展了其產(chǎn)品組合以包括兩級(jí)集成式電路,從而將多個(gè)增益級(jí)合并到一個(gè)封裝中;并添加了全新的基于氮化鎵(GaN)的服務(wù)和48V LDMOS工藝技術(shù)。

  廣泛的客戶解決方案和支持對(duì)這些全新的器件進(jìn)行了完善。應(yīng)用特定型參考設(shè)計(jì)將為客戶提供配置和開(kāi)發(fā)說(shuō)明,從而幫助客戶在設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)廣泛的常規(guī)系統(tǒng)時(shí)搶得先機(jī)。

  飛思卡爾高級(jí)副總裁兼RF部門總經(jīng)理Paul Hart表示:“第二代Airfast解決方案提高了性能和效率,并加快客戶產(chǎn)品的上市時(shí)間。作為RF功率放大器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,這款全新的器件將挑戰(zhàn)蜂窩標(biāo)準(zhǔn)的極限,并使飛思卡爾在無(wú)線市場(chǎng)的創(chuàng)新能力達(dá)到新水平?!?/p>

  產(chǎn)品詳情

  最初的第二代Airfast產(chǎn)品包括:

  · A2T07H310-24S是一款300W非對(duì)稱Doherty晶體管,面向720-960 MHz頻段的無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用。在Doherty配置中,功率回退8 dB時(shí),該器件可打破50%的效率瓶頸,提供55 dBm的峰值功率和18.9 dB的增益,并采用NI-1230S-4L2L封裝。

  · A2T07D160W04S是一款160W雙路晶體管,面向728-960 MHz頻段的無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用。在Doherty配置中,輸出功率回退7 dB時(shí),該器件可達(dá) 51%的效率,提供52.5 dBm的峰值功率和21.5 dB的增益,并采用NI-780S-4L封裝。

  · A2T26H160-24S是一款160W RF非對(duì)稱Doherty晶體管,面向2496-2690 MHz頻段的無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用。在Doherty配置中,功率回退8 dB時(shí),該器件可達(dá)47%的效率,提供52.5 dBm的峰值功率和15.7 dB的增益,并采用NI-780S-4L2L封裝。

  · A2I25D012N是一款12W RF嵌入式電路,面向2300-2690 MHz頻段的無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用。在Doherty配置中,輸出功率回退8 dB時(shí),該器件可達(dá)41%的效率,提供43.5 dBm的峰值功率和29 dB的增益,并采用全新的TO-270WB-15塑料封裝。

  · A2I22D050N 是一款50W RF集成式電路,面向2000-2200 MHz頻段的無(wú)線基礎(chǔ)架構(gòu)應(yīng)用。在Doherty配置中,輸出功率回退8 dB時(shí),該器件可達(dá)42%的效率,提供49 dBm的峰值功率和28 dB的增益,并采用全新的TO-270WB-15塑料封裝。

  關(guān)于Airfast RF功率解決方案

  Airfast RF功率解決方案可同時(shí)應(yīng)對(duì)提高效率、峰值功率和信號(hào)帶寬所來(lái)的諸多挑戰(zhàn),并不斷緩解降低成本所帶來(lái)的壓力。該產(chǎn)品可提供卓越的性能和能效,以及一系列工藝技術(shù),其中包括LDMOS、GaAs和GaN。

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