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LG定今年底明年初試產(chǎn)16納米AP

編輯:admin 2014-07-03 11:04:02 瀏覽:694  來源:中華液晶網(wǎng)

  G電子(LG Electronics)為了強化行動應用處理器(AP)業(yè)務,計劃挑戰(zhàn)16奈米制程,以提升該公司智慧手機的競爭力,并強化在半導體界的重要性,據(jù)傳16奈米晶片將在今年底或明年初交由臺積電(2330)試產(chǎn)。

  韓媒etnews 1日報導,消息人士透露,LG電子繼28奈米的Odin晶片之后,再接再厲開發(fā)16奈米,預定今年底或明年初臺積電量產(chǎn)16奈米FinFET(鰭式場效電晶體)時,開始投入試產(chǎn)。LG電子先前研發(fā)的28奈米晶片,也由臺積電代工,將在第三季或今年底前用于LG智慧手機。

  一般認為,LG電子完全仰賴高通(Qualcomm)供應AP,自行研發(fā)是為了分散供應鏈,并取得議價優(yōu)勢。不過內(nèi)情人士指出,LG電子推動AP業(yè)務,是為了中長期開發(fā)高階 AP晶片,將會持續(xù)提升獨立研發(fā)的AP性能;要是該公司一如預期順利量產(chǎn)16奈米AP,可望在韓國半導體業(yè)更有影響力。三星電子也研發(fā)AP,但是近年來三星高階智慧機越來越少采用三星自制AP。

  韓國時報(Korea Times)6月22日報導,LG零件供應商表示,LG電子最近決定將旗下Odin行動應用處理器(AP)從7月延至10月量產(chǎn),這款晶片僅支援full HD畫質(zhì)。這名人士透露,Odin晶片原本計劃用于G3,但是G3提前推出,畫質(zhì)高達quad HD(2k),只好改用高通(Qualcomm)的Snapdragon 801晶片。

  LG電子內(nèi)部人士指出,Odin八核心晶片有過熱問題,這款晶片采用安謀(ARM)的big.LITTLE架構,以Cortex A15四核搭配低功耗的Cortax A7四核。他表示,LG必須提升Odin晶片效能,支援quad HD畫質(zhì),因為智慧機大廠爭相推出quad HD行動裝置。LG最近才并購了SiliconWorks,拓展晶片相關業(yè)務。

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