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Mini/Micro-LED技術(shù)峰會 | 中麒光電總經(jīng)理孫明:基于微顯示產(chǎn)品形態(tài),實現(xiàn)GaN化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合

編輯:chinafpd 2022-05-25 17:22:52 瀏覽:2336  來源:

  GaN是藍(lán)光LED的基礎(chǔ)材料,在Micro-LED、紫外激光器中有重要應(yīng)用。Micro-LED被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù),而硅襯底GaN基技術(shù)的特性是制造 Micro-LED芯片的天然選擇。在2022中國國際Mini/Micro-LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會上,東莞市中麒光電技術(shù)有限公司(以下簡稱“中麒光電”)總經(jīng)理孫明以“Mini/Micro LED技術(shù)和應(yīng)用實踐”為主題,分享了中麒光電在GaN材料上的應(yīng)用,以及微顯示領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)實踐和材料器件領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)探索。

  東莞市中麒光電技術(shù)有限公司總經(jīng)理 孫明

  孫明表示,目前GaN材料主要有兩大應(yīng)用領(lǐng)域:一是產(chǎn)業(yè)化規(guī)模很大的通用照明、景觀照明、數(shù)碼和戶內(nèi)顯示以及背光等;二是非發(fā)光領(lǐng)域的應(yīng)用,比如Power、RF、LD、HEMT。他也介紹,中麒光電基于GaN材料,通過Mini-LED和Micro-LED向下游延展到模組、面板,進(jìn)而形成了中麒光電的微間距顯示平臺,同時向下游又延伸到器件,重點涵蓋了RF、PD、LD,進(jìn)而形成了中麒光電的材料器件平臺。他認(rèn)為,“我們將在未來某一個時間段通過產(chǎn)品的集成完成發(fā)光材料和非發(fā)光材料的融合。這也是中麒光電在產(chǎn)業(yè)布局以及產(chǎn)業(yè)路徑上面的重大產(chǎn)業(yè)實踐。”

  孫明認(rèn)為,“氮化物材料將成為引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的破局點,目前電視基于硅晶體管得以實現(xiàn)發(fā)光器件,而GaN也同樣可以作為微顯示領(lǐng)域Mini/Micro-LED芯片的直顯材料,同時可以通過非發(fā)光器件實現(xiàn)所有的產(chǎn)業(yè)集成。”同時,他也認(rèn)為,新能源汽車是中國近年來最成功的產(chǎn)業(yè)案例,其通過總線/集成變革,最后實現(xiàn)了中國新能源汽車行業(yè)的彎道超車,“我們一直認(rèn)為,GaN材料是顯示領(lǐng)域極有可能實現(xiàn)的第三代半導(dǎo)體,也是化合物半導(dǎo)體在一些重要產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑。這也是我們對產(chǎn)業(yè)或者對GaN材料的理解。”

  孫明也詳細(xì)介紹了中麒光電在微間距顯示領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)實踐以及取得的成果。2018年,中麒光電除了完成Mini和Micro芯片以外,還重點布局了巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),也是其最引以為傲的技術(shù)。中麒光電不僅率先在全球?qū)崿F(xiàn)了巨量轉(zhuǎn)移的全產(chǎn)業(yè)化,還開發(fā)了自主研發(fā)的設(shè)備。他介紹,中麒光電巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)采用了激光轉(zhuǎn)移方案,良率已經(jīng)達(dá)到99.999%。目前中麒光電實現(xiàn)了巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備的拓展應(yīng)用,P5主要應(yīng)用于電視、車載顯示、顯示器背光,而P1.0以下主要應(yīng)用于小間距LED、Mini-LED,將為未來Micro產(chǎn)業(yè)化奠定產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

  而在目前量產(chǎn)的COB領(lǐng)域,孫明也介紹,除了巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備以外,中麒光電的巨量轉(zhuǎn)移線可以全自動化無人接觸,使巨量轉(zhuǎn)移良率達(dá)到99.999%,而且實現(xiàn)了在線修復(fù)和檢測,修復(fù)后可以實現(xiàn)良率100%,可以讓巨量轉(zhuǎn)移線實現(xiàn)COB完全量產(chǎn)綜合良率達(dá)到97%。

  除了在芯片領(lǐng)域儲備了諸多技術(shù)之外,中麒光電還完成了芯片級封裝,下一步會進(jìn)入到晶圓級的封裝。孫明表示,參考硅晶半導(dǎo)體的行業(yè)發(fā)展規(guī)律,集成封裝的下一個集成方式就是2.5D或者3D封裝,“目前全色系Mini& Micro芯片、芯片級封裝、集成封裝已基本實現(xiàn),未來將要重點實現(xiàn)QD色轉(zhuǎn)換、晶圓級封裝、2.5D/3D先進(jìn)封裝。”

  關(guān)于技術(shù)路線的突破,他也介紹,目前中麒光電主要有兩個技術(shù)方案:MIP與COB技術(shù)方案。這兩種方案在2022年都實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化,且兩大技術(shù)路線齊頭并進(jìn),預(yù)計在2023年底,在Micro領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)融合破局。他表示,“MIP很多技術(shù)是非常線型的,可以很快實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,但COB有很多關(guān)鍵的技術(shù),比如芯片、基板的精度等,需要爬一些陡坡。經(jīng)過這幾年的量產(chǎn)和實踐,我們把兩種技術(shù)路線合并成Mini COB,統(tǒng)一成一個產(chǎn)品。我們用兩種產(chǎn)品路線實現(xiàn)Micro技術(shù)方案,有可能這是最容易實現(xiàn)的產(chǎn)業(yè)路徑。”

  孫明表示,關(guān)于材料器件領(lǐng)域的探索,中麒光電也對一些產(chǎn)業(yè)化方案進(jìn)行了實踐, 比如,GaN材料在器件上的應(yīng)用,率先通過在電源效率提升方面的組合應(yīng)用,配合一些硅基封測和硅晶半導(dǎo)體的器件方案,做了一些產(chǎn)業(yè)路徑實踐。然而,關(guān)于GaN兩個發(fā)光材料和不發(fā)光材料的產(chǎn)業(yè)融合,他認(rèn)為,通過微顯示產(chǎn)品形態(tài),比如AR/VR的Micro-LED顯示,最后這些技術(shù)融合會帶來GaN為代表的化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)融合。

  2022中國國際Mini/micro-LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會錄播

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孫明 中麒光電
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