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未來紫光LED芯片 將成LED照明研究重點(diǎn)
技術(shù)中心

未來紫光LED芯片 將成LED照明研究重點(diǎn)

摘要:上世紀(jì)末, 半導(dǎo)體照明開始出現(xiàn)并快速發(fā)展,其中一個核心前提是藍(lán)光GaN基發(fā)光材料的生長和器件結(jié)構(gòu)的制備,而未來材料和器件結(jié)構(gòu)技術(shù)的水平也終將決定半導(dǎo)體照明技術(shù)的高度。就GaN基材料及器件衍生出設(shè)備、源材料、器件設(shè)計(jì)、芯片技術(shù)、芯片應(yīng)用等五大部分進(jìn)

閱讀:12022014年06月25日 14:52:57
新海宜:LED牛市催生增長動力 2016產(chǎn)值將達(dá)10億
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新海宜:LED牛市催生增長動力 2016產(chǎn)值將達(dá)10億

摘要:新海宜周(8)日晚間發(fā)布配股公告,公司擬以3.61元/股的價格實(shí)施配股,募集不超過4.8億元資金,助力公司“深度轉(zhuǎn)型”。資料顯示,公司目前處于主營業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵時期,其中, LED芯片業(yè)務(wù)因恰逢行業(yè)景氣顯著回升而受到各路機(jī)構(gòu)關(guān)注。 配股說明書顯示,

閱讀:11442014年06月25日 14:52:57
“八問八答”全面解密LED芯片知識
技術(shù)中心

“八問八答”全面解密LED芯片知識

摘要:1、 LED芯片的制造流程是怎樣的? LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊,同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,其主要在1.33×10?4Pa高真空下,用電阻加熱或電子束轟擊加熱方

閱讀:10322014年06月25日 14:52:58
LED芯片制作中襯底知識大全
技術(shù)中心

LED芯片制作中襯底知識大全

摘要:外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根據(jù)不同

閱讀:11932014年06月25日 14:52:58
淺析LED外延片質(zhì)量辨別方法
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淺析LED外延片質(zhì)量辨別方法

摘要:外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根據(jù)不同

閱讀:13182014年06月25日 14:52:58
不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究
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不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究

摘要:GaN材料自20世紀(jì)90年代以來逐漸在顯示、指示、背光和固態(tài)照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,已形成巨大的市

閱讀:10362014年06月25日 14:52:58
解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”
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解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

摘要:發(fā)光二極體( LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源,耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%,并具有體積

閱讀:17062014年06月25日 14:52:58
Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析
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Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

摘要:2013年9月5日,首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開,來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會議。 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千先生在會上

閱讀:11952014年06月25日 14:52:59
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價比照明
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硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價比照明

摘要:傳統(tǒng)的氮化鎵(GaN) LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅(SiC)為襯底,因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好,襯底常用尺寸為2"或4"。業(yè)界一直在致力于用供應(yīng)更為豐富的硅晶圓(6"或更大)來發(fā)展GaN,因?yàn)楣枰r底可顯著降低成本,而且可以在自動化IC生產(chǎn)線上制造

閱讀:11272014年06月25日 14:52:59
LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程
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LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

摘要:目前在 LED制程中,藍(lán)寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn),但是考慮到成本與良率,藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢,可以預(yù)見接下來藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石,因此對它進(jìn)行減薄與表面平坦化加工非常困難,

閱讀:10252014年06月25日 14:52:59

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