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硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
技術(shù)中心

硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

摘要:日前,在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術(shù)的最新進(jìn)展

閱讀:11362014年06月25日 14:53:00
LED芯片及器件的分選測(cè)試
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LED芯片及器件的分選測(cè)試

摘要:LED的分選有兩種方法:一是以芯片為基礎(chǔ)的測(cè)試分選,二是對(duì)封裝好的LED進(jìn)行測(cè)試分

閱讀:10872014年06月25日 14:53:00
LED芯片使用過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題及解析方案
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LED芯片使用過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題及解析方案

摘要:1.正向電壓下降,暗光 A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸,但觸摸電阻大,首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。 B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸,首要發(fā)生在芯片電極制備進(jìn)程中蒸騰第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印,散布方位。 別的封裝進(jìn)程中也能夠形成正

閱讀:13502014年06月25日 14:53:00
淺述LED芯片的制作工藝
技術(shù)中心

淺述LED芯片的制作工藝

摘要:1. LED芯片檢驗(yàn) 鏡檢:材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2. LED擴(kuò)片 由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm),不利于后工序的操作。采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張,使LED芯片的

閱讀:12622014年06月25日 14:53:01
【技術(shù)分享】LED板上芯片(COB)封裝流程
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【技術(shù)分享】LED板上芯片(COB)封裝流程

摘要:LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封裝流程 首先是正在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹(shù)脂)覆蓋硅片安放點(diǎn), 然后將硅片 間接安放正在基底表面, 熱處理至硅片牢固地固定正在基底為行, 隨后再用絲焊的方法正在硅片和基底之間間接建立電氣連接

閱讀:15852014年06月25日 14:53:01
藍(lán)寶石襯底研磨三部曲
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藍(lán)寶石襯底研磨三部曲

摘要:一、 研磨首部曲——上蠟 LED芯片研磨制程的首要?jiǎng)幼骷?ldquo;上臘”,這與硅芯片的CMP化學(xué)研磨的貼膠意義相同。將芯片固定在鐵制(Lapping制程)或陶瓷(Grounding制程)圓盤(pán)上。先將固態(tài)蠟均勻的涂抹在加熱約90~110℃的圓盤(pán)上,再將芯片正面置放貼附于圓盤(pán),經(jīng)過(guò)加

閱讀:12672014年06月25日 14:53:01
制造大功率LED芯片的幾種方法
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制造大功率LED芯片的幾種方法

摘要:要想得到 大功率LED器件,就必須制備合適的大功率 LED芯片。國(guó)際上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下幾種: ①大尺寸法。通過(guò)增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸,促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布,以達(dá)到預(yù)期的光通量。但是,簡(jiǎn)單地增大發(fā)光面積無(wú)法解決散熱

閱讀:10672014年06月25日 14:53:01
確保LED應(yīng)用的藍(lán)寶石晶體質(zhì)量技術(shù)報(bào)告
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確保LED應(yīng)用的藍(lán)寶石晶體質(zhì)量技術(shù)報(bào)告

摘要:藍(lán)寶石由于具有與GaN大體匹配的晶格,以及與同質(zhì)襯底相比的成本效益,是 LED開(kāi)盒即用晶片的卓越材料。在諸如商業(yè)和住宅 照明等應(yīng)用不斷增加的需求推動(dòng)下,為了滿足今后數(shù)年里預(yù)期的市場(chǎng)增長(zhǎng),LED市場(chǎng)將需要越來(lái)越多的低成本LED級(jí)藍(lán)寶石。藍(lán)寶石的高熔點(diǎn)導(dǎo)致

閱讀:11242014年06月25日 14:53:02
圖形化襯底(PSS)刻蝕設(shè)備工藝研究進(jìn)展
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圖形化襯底(PSS)刻蝕設(shè)備工藝研究進(jìn)展

摘要:藍(lán)寶石晶片目前廣泛用作III-V族 LED器件氮化物外延薄膜的襯底,然而由于氮化物和藍(lán)寶石大的晶格失配和熱膨脹系數(shù)的差別,使得在襯底上生長(zhǎng)的氮化物材料位錯(cuò)和缺陷密度較大,影響了器件的發(fā)光效率和壽命。圖形化襯底(PSS)技術(shù)可以有效地減少外延材料的位錯(cuò)和

閱讀:27782014年06月25日 14:53:02
圖文并茂:LED封裝技術(shù)及熒光粉的應(yīng)用
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圖文并茂:LED封裝技術(shù)及熒光粉的應(yīng)用

摘要:LED封裝是將外引線連接到 LED芯片的電極上,以便于與其他器件連接。它不僅將用導(dǎo)線將芯片上的電極連接到封裝外殼上實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接,而且將芯片固定和密封起來(lái),以保護(hù)芯片電路不受水、空氣等物質(zhì)的侵蝕而造成電氣性能降低。另外,封裝還可以提高 L

閱讀:12212014年06月25日 14:53:04

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