LED襯底、外延及芯片的技術發(fā)展趨勢
摘要:技術發(fā)展和工藝改進,使 LED成本大幅度下降,推動了LED應用的全面發(fā)展。為進一步提升LED節(jié)能效果,全球相關單位均投入極大的研發(fā)力量,對LED性能、可靠性進行深入的研究開發(fā),特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術研究方面,已取得突破性成果。對LED發(fā)展提出
閱讀:11512014年06月25日 14:52:59摘要:技術發(fā)展和工藝改進,使 LED成本大幅度下降,推動了LED應用的全面發(fā)展。為進一步提升LED節(jié)能效果,全球相關單位均投入極大的研發(fā)力量,對LED性能、可靠性進行深入的研究開發(fā),特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術研究方面,已取得突破性成果。對LED發(fā)展提出
閱讀:11512014年06月25日 14:52:59摘要:上游芯片技術一直是國內(nèi) LED的瓶頸,核心技術大部分都掌握在國外,下面介紹一下芯片制程的工藝: 1. LED芯片檢驗 鏡檢:材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2.LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排
閱讀:9852014年06月25日 14:53:00摘要:LED 具有體積小,耗電量低、長壽命環(huán)保等優(yōu)點,在實際生產(chǎn)研發(fā)過程中,需要通過壽命試驗對 LED芯片 的可靠性水平進行*價,并通過質(zhì)量反饋來提高LED芯片的可靠性水平,以保證LED芯片質(zhì)量。 1、引言 作為電子元器件, 發(fā)光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出
閱讀:10542014年06月25日 14:53:00摘要:日前,在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告,與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術的最新進展
閱讀:12362014年06月25日 14:53:00摘要:1.正向電壓下降,暗光 A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸,但觸摸電阻大,首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。 B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸,首要發(fā)生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印,散布方位。 別的封裝進程中也能夠形成正
閱讀:14362014年06月25日 14:53:00摘要:1. LED芯片檢驗 鏡檢:材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2. LED擴片 由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm),不利于后工序的操作。采用擴片機對黏結(jié)芯片的膜進行擴張,使LED芯片的
閱讀:13382014年06月25日 14:53:01摘要:LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封裝流程 首先是正在基底表面用導熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點, 然后將硅片 間接安放正在基底表面, 熱處理至硅片牢固地固定正在基底為行, 隨后再用絲焊的方法正在硅片和基底之間間接建立電氣連接
閱讀:17112014年06月25日 14:53:01摘要:一、 研磨首部曲——上蠟 LED芯片研磨制程的首要動作即“上臘”,這與硅芯片的CMP化學研磨的貼膠意義相同。將芯片固定在鐵制(Lapping制程)或陶瓷(Grounding制程)圓盤上。先將固態(tài)蠟均勻的涂抹在加熱約90~110℃的圓盤上,再將芯片正面置放貼附于圓盤,經(jīng)過加
閱讀:13622014年06月25日 14:53:01摘要:要想得到 大功率LED器件,就必須制備合適的大功率 LED芯片。國際上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下幾種: ①大尺寸法。通過增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸,促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布,以達到預期的光通量。但是,簡單地增大發(fā)光面積無法解決散熱
閱讀:11712014年06月25日 14:53:01關注我們
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