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　　存儲(chǔ)器漲價(jià)從2016年下半年開始，根據(jù)ICInsights的預(yù)計(jì)，2017年內(nèi)存（DRAM）價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，閃存（Flash）漲幅也有望達(dá)到25%。這是由于需求增長和供給收縮。一方面，國產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長，以及新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲(chǔ)器產(chǎn)能正被大量消耗；另一方面，以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場存儲(chǔ)器創(chuàng)新競賽，將二維閃存（2DNANDFlash）轉(zhuǎn)移至三維閃存（3DNANDFlash）的技術(shù)革命，這導(dǎo)致產(chǎn)能增長放緩。

　　這是一個(gè)得存儲(chǔ)器者得天下的時(shí)代。存儲(chǔ)器被普遍稱為“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的皇冠”，如今正成為手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣點(diǎn)。在全球存儲(chǔ)器市場的寡頭競爭中，隨著存儲(chǔ)器價(jià)格攀升，三星成為最大贏家，一路高歌猛進(jìn)，而由此巨虧的東芝（Toshi-BA）半導(dǎo)體卻陷入尷尬境地。同時(shí)，漲價(jià)侵蝕著原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，一路打價(jià)格戰(zhàn)的智能手機(jī)企業(yè)橫迎來史上首次漲價(jià)潮。

　　在這樣的格局中，國產(chǎn)存儲(chǔ)器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢(shì)。國家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，在全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)刻，能否實(shí)現(xiàn)“彎道超車”？

　　寡頭格局

　　存儲(chǔ)器是幾乎所有電子產(chǎn)品的關(guān)鍵元器件，承擔(dān)著信息記憶的功能。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照產(chǎn)品類型可分為內(nèi)存（DRAM）和閃存（Flash）兩大類。電子產(chǎn)品斷電后，DRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，F(xiàn)lash則不會(huì)消失，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)保留下來，供下次使用。

　　DRAM常見的產(chǎn)品形態(tài)主要是內(nèi)存條，F(xiàn)lash在生活中隨處可見，主要包括microSD卡、UFS（通用閃存存儲(chǔ)）、EMMC（嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡）、U盤、SSD（固態(tài)硬盤）等。存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，覆蓋范圍從消費(fèi)電子到工業(yè)、汽車、航空航天、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域。

　　存儲(chǔ)器屬于半導(dǎo)體三大產(chǎn)品類別之一，市場規(guī)模巨大，約占全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值的23%。數(shù)據(jù)顯示，2015年全球DRAM產(chǎn)值約450億美元，全球NAND閃存市場規(guī)模約為300億美元，DRAM和NAND閃存總產(chǎn)值在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的比重高達(dá)95%。同時(shí)，存儲(chǔ)器是標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品，從歷史上看，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)隨著庫存、需求、產(chǎn)能等因素變化具有明顯的周期性，而且存儲(chǔ)器毛利率隨著行業(yè)周期性波動(dòng)而劇烈變動(dòng)。

　　關(guān)鍵的是，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的高度集中下，全球呈現(xiàn)寡頭競爭格局。DRAM的主要市場玩家有限，主要包括三星、SK海力士、美光等企業(yè)，韓國目前為全球第一大存儲(chǔ)器制造國。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度，全球NANDFlash市場份額分布為三星（37%）、東芝（20%）、閃迪（17%）、美光（10%）、海力士（10%）、英特爾（6%），全球DRAM市場份額分布為三星（50.2%）、海力士（24.8%）、美光（18.5%）、南亞（3.1%）、華邦電子（1.7%）、力晶科技（0.6%）、其他（1.2%）。內(nèi)存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內(nèi)存模組廠商，2015年市占率高達(dá)68%。

　　隨著文字、圖片、語音、視頻等多種類型的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，存儲(chǔ)器在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的地位越來越重要，同時(shí)也是手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣點(diǎn)。目前筆記本電腦內(nèi)存容量一般為2G～16G，閃存容量為64G～512G，智能手機(jī)內(nèi)存容量為2G～8G，閃存容量為16G～256G。同一個(gè)廠家推出的同一款智能手機(jī)僅僅因?yàn)榇鎯?chǔ)器容量的不同，價(jià)格可能相差數(shù)百元到一兩千元。由此可見存儲(chǔ)器對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要性。

　　從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史看，在上個(gè)世紀(jì)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從美國到日本再到韓國的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過程。存儲(chǔ)器最早起源于美國，20世紀(jì)50年代美國開發(fā)出全球首個(gè)DRAM芯片，美國曾在DRAM領(lǐng)域長期保持領(lǐng)頭羊的地位。為了集中力量發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，日本政府在70年代中期聯(lián)合日立、東芝、富士通等五家日本最大的計(jì)算機(jī)公司成立超大規(guī)模集成電路研究協(xié)會(huì)，到80年代中期日本存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)趕超美國。韓國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)以三星為代表，三星從20世紀(jì)80年代初期進(jìn)入集成電路產(chǎn)業(yè)，在國外的技術(shù)授權(quán)許可下，通過10年的自主研發(fā)創(chuàng)新和不懈努力，在1994年成為全球第一的內(nèi)存制造商和第七大半導(dǎo)體制造商。

　　漲價(jià)背后

　　2016年下半年開始，存儲(chǔ)器市場出現(xiàn)供需缺口，需求量持續(xù)增長。智能手機(jī)和服務(wù)器市場對(duì)內(nèi)存和SSD需求旺盛，特別是國產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)大幅增長，新一代iPhone產(chǎn)品的推出，需要消耗大量的存儲(chǔ)器產(chǎn)能，同時(shí)數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶動(dòng)服務(wù)器用存儲(chǔ)器持續(xù)增長，固態(tài)硬盤在PC中替代機(jī)械硬盤也增加了對(duì)NAND閃存的需求。

　　供給持續(xù)收縮。三星、海力士等企業(yè)正逐步將2DNANDFlash（二維閃存）轉(zhuǎn)移至3DNANDFlash（三維閃存），2DNANDFlash基本停止擴(kuò)產(chǎn)。3DNANDFlash作為一種新興的存儲(chǔ)器，擴(kuò)產(chǎn)需要較長時(shí)間，閃存產(chǎn)能增長幅度放緩。全球主要閃存廠商的3DNANDFlash目前產(chǎn)出超過NAND閃存產(chǎn)量的一半。目前DRAM生產(chǎn)工藝微縮進(jìn)入到20納米節(jié)點(diǎn)，工藝制程繼續(xù)微縮、良率提升的難度急劇上升，經(jīng)濟(jì)效益不好，因此，各大DRAM廠對(duì)先進(jìn)技術(shù)開發(fā)、資本支出持保守態(tài)度，DRAM總體產(chǎn)能增長大幅放緩，DRAM供給相對(duì)穩(wěn)定。預(yù)計(jì)到2018年，隨著3DNANDFlash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張局面有望緩解。

　　這一輪漲價(jià)或改變?nèi)虼鎯?chǔ)器競爭格局。三星成為存儲(chǔ)器漲價(jià)的最大贏家，三星有望在2017年超越英特爾，成為全球半導(dǎo)體龍頭。從去年三季度以來，存儲(chǔ)器漲價(jià)扭轉(zhuǎn)了三星在Note7手機(jī)大量召回帶來的不利局面。根據(jù)ICIn-sights的數(shù)據(jù)，今年二季度，存儲(chǔ)器持續(xù)漲價(jià)推動(dòng)三星半導(dǎo)體部門營收創(chuàng)出新高，有望達(dá)到149億美元，高于英特爾的144億美元（預(yù)估值）。我們預(yù)計(jì)三星在未來很長一段時(shí)間將主導(dǎo)全球存儲(chǔ)市場的定價(jià)權(quán)。

　　與三星半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)不同的是，東芝（Toshiba）半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展陷入了尷尬境地。東芝公司的2016年財(cái)報(bào)顯示，公司在美國發(fā)展的核電業(yè)務(wù)出現(xiàn)了巨虧。為扭轉(zhuǎn)不利局面，東芝管理層欲出售半導(dǎo)體閃存業(yè)務(wù)。業(yè)界認(rèn)為，東芝閃存業(yè)務(wù)售價(jià)將在180億美元以上。目前，博通（Broadcom）、臺(tái)灣鴻海、SK海力士以及西部數(shù)據(jù)（WD）等公司都對(duì)競購表示出了濃厚興趣。更新的消息是，蘋果和亞馬遜將聯(lián)手臺(tái)灣鴻海競購東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

　　究竟花落誰家，或許6月中下旬市場就會(huì)給出答案。這也反映出，在全球范圍內(nèi)，半導(dǎo)體閃存資產(chǎn)仍是一塊炙手可熱的香餑餑。

　　漲價(jià)對(duì)下游智能手機(jī)和PC廠商來說十分不利。存儲(chǔ)器漲價(jià)大幅增加了智能手機(jī)和PC廠商的成本，特別是存儲(chǔ)器成本占比相對(duì)較高的中低端智能手機(jī)，侵蝕了競爭激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲(chǔ)器供給嚴(yán)重不足的雙重壓力。

　　目前部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià)，幅度在100～500元不等，改變了智能手機(jī)以前一直降價(jià)的歷史。蘋果新機(jī)型6月初正式進(jìn)入量產(chǎn)，服務(wù)器市場對(duì)存儲(chǔ)器需求持續(xù)增長，國產(chǎn)品牌手機(jī)進(jìn)入銷售旺季，這些因素均加劇了存儲(chǔ)器的供應(yīng)緊張程度，部分智能手機(jī)廠商拿貨可能延遲甚至短期內(nèi)拿不到貨。根據(jù)ICInsights的預(yù)計(jì)，2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，閃存（Flash）漲幅也有望達(dá)到25%。對(duì)PC廠商而言，SSD取代普通硬盤是趨勢(shì)，PC行業(yè)近年來增速放緩，訂單不穩(wěn)定也導(dǎo)致存儲(chǔ)器廠商不太愿意投入資源在PC用存儲(chǔ)器上。

　　中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。#p#分頁標(biāo)題#e#

　　目前已形成南京、武漢、晉江三足鼎立之勢(shì)。國內(nèi)存儲(chǔ)器目前主要依靠進(jìn)口，根據(jù)電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，我國每年進(jìn)口的存儲(chǔ)器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。2016年7月，紫光控股、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團(tuán)共同出資240億美元成立了長江存儲(chǔ)。長江存儲(chǔ)主要從事3DNANDFlash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產(chǎn)，擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，同時(shí)從事SOC、三維集成、MCU平臺(tái)等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。

　　紫光集團(tuán)官方網(wǎng)站顯示，由其投資的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目于2017年1月正式簽約落戶南京，總投資超過300億美元，主要產(chǎn)品包括3DNANDFlash、DRAM存儲(chǔ)芯片等，項(xiàng)目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬片。晉華集成電路官方網(wǎng)站顯示，晉華集成電路是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)等共同設(shè)立的集成電路企業(yè)，于2016年2月在福建晉江成立，投資56.5億美元，建立12英寸內(nèi)存（DRAM）晶圓制造生產(chǎn)線，通過與臺(tái)聯(lián)電合作共同研發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)和制程工藝。