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技術(shù)中心

Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

摘要：2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)”在深圳成功召開，來(lái)自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千先生在會(huì)上

閱讀：10862014年06月25日 14:52:59

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硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明

摘要：傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN） LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為2"或4"。業(yè)界一直在致力于用供應(yīng)更為豐富的硅晶圓（6"或更大）來(lái)發(fā)展GaN，因?yàn)楣枰r底可顯著降低成本，而且可以在自動(dòng)化IC生產(chǎn)線上制造

閱讀：10282014年06月25日 14:52:59

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LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

摘要：目前在 LED制程中，藍(lán)寶石基板雖然受到來(lái)自Si與GaN基板的挑戰(zhàn)，但是考慮到成本與良率，藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢(shì)，可以預(yù)見接下來(lái)藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化（PSS）。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石，因此對(duì)它進(jìn)行減薄與表面平坦化加工非常困難，

閱讀：9482014年06月25日 14:52:59

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LED襯底、外延及芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

摘要：技術(shù)發(fā)展和工藝改進(jìn)，使 LED成本大幅度下降，推動(dòng)了LED應(yīng)用的全面發(fā)展。為進(jìn)一步提升LED節(jié)能效果，全球相關(guān)單位均投入極大的研發(fā)力量，對(duì)LED性能、可靠性進(jìn)行深入的研究開發(fā)，特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術(shù)研究方面，已取得突破性成果。對(duì)LED發(fā)展提出

閱讀：9832014年06月25日 14:52:59

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LED芯片的制作工藝“十二步”

摘要：上游芯片技術(shù)一直是國(guó)內(nèi) LED的瓶頸，核心技術(shù)大部分都掌握在國(guó)外，下面介紹一下芯片制程的工藝： 1. LED芯片檢驗(yàn) 鏡檢：材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2.LED擴(kuò)片由于LED芯片在劃片后依然排

閱讀：8922014年06月25日 14:53:00

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LED芯片壽命試驗(yàn)過程全解析

摘要：LED 具有體積小，耗電量低、長(zhǎng)壽命環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)研發(fā)過程中，需要通過壽命試驗(yàn)對(duì) LED芯片的可靠性水平進(jìn)行*價(jià)，并通過質(zhì)量反饋來(lái)提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質(zhì)量。 1、引言作為電子元器件，發(fā)光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出

閱讀：9502014年06月25日 14:53:00

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硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

摘要：日前，在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術(shù)的最新進(jìn)展

閱讀：11372014年06月25日 14:53:00

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LED芯片及器件的分選測(cè)試

摘要：LED的分選有兩種方法：一是以芯片為基礎(chǔ)的測(cè)試分選，二是對(duì)封裝好的LED進(jìn)行測(cè)試分

閱讀：10882014年06月25日 14:53:00

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LED芯片使用過程中經(jīng)常遇到的問題及解析方案

摘要：1.正向電壓下降，暗光 A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。 B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發(fā)生在芯片電極制備進(jìn)程中蒸騰第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印，散布方位。別的封裝進(jìn)程中也能夠形成正

閱讀：13522014年06月25日 14:53:00

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淺述LED芯片的制作工藝

摘要：1. LED芯片檢驗(yàn) 鏡檢：材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2. LED擴(kuò)片由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利于后工序的操作。采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，使LED芯片的

閱讀：12632014年06月25日 14:53:01

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