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淺析LED外延片質(zhì)量辨別方法
技術(shù)中心

淺析LED外延片質(zhì)量辨別方法

摘要:外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極,N極),接下來就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根據(jù)不同

閱讀:13232014年06月25日 14:52:58
不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究
技術(shù)中心

不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究

摘要:GaN材料自20世紀(jì)90年代以來逐漸在顯示、指示、背光和固態(tài)照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,已形成巨大的市

閱讀:10402014年06月25日 14:52:58
解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”
技術(shù)中心

解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

摘要:發(fā)光二極體( LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源,耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%,并具有體積

閱讀:17092014年06月25日 14:52:58
Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析
技術(shù)中心

Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

摘要:2013年9月5日,首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開,來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千先生在會(huì)上

閱讀:12022014年06月25日 14:52:59
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明
技術(shù)中心

硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明

摘要:傳統(tǒng)的氮化鎵(GaN) LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅(SiC)為襯底,因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好,襯底常用尺寸為2"或4"。業(yè)界一直在致力于用供應(yīng)更為豐富的硅晶圓(6"或更大)來發(fā)展GaN,因?yàn)楣枰r底可顯著降低成本,而且可以在自動(dòng)化IC生產(chǎn)線上制造

閱讀:11312014年06月25日 14:52:59
LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程
技術(shù)中心

LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

摘要:目前在 LED制程中,藍(lán)寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn),但是考慮到成本與良率,藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢(shì),可以預(yù)見接下來藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石,因此對(duì)它進(jìn)行減薄與表面平坦化加工非常困難,

閱讀:10302014年06月25日 14:52:59
LED襯底、外延及芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
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LED襯底、外延及芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

摘要:技術(shù)發(fā)展和工藝改進(jìn),使 LED成本大幅度下降,推動(dòng)了LED應(yīng)用的全面發(fā)展。為進(jìn)一步提升LED節(jié)能效果,全球相關(guān)單位均投入極大的研發(fā)力量,對(duì)LED性能、可靠性進(jìn)行深入的研究開發(fā),特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術(shù)研究方面,已取得突破性成果。對(duì)LED發(fā)展提出

閱讀:11542014年06月25日 14:52:59
LED芯片的制作工藝“十二步”
技術(shù)中心

LED芯片的制作工藝“十二步”

摘要:上游芯片技術(shù)一直是國內(nèi) LED的瓶頸,核心技術(shù)大部分都掌握在國外,下面介紹一下芯片制程的工藝: 1. LED芯片檢驗(yàn) 鏡檢:材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2.LED擴(kuò)片 由于LED芯片在劃片后依然排

閱讀:9892014年06月25日 14:53:00
LED芯片壽命試驗(yàn)過程全解析
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LED芯片壽命試驗(yàn)過程全解析

摘要:LED 具有體積小,耗電量低、長壽命環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),在實(shí)際生產(chǎn)研發(fā)過程中,需要通過壽命試驗(yàn)對(duì) LED芯片 的可靠性水平進(jìn)行*價(jià),并通過質(zhì)量反饋來提高LED芯片的可靠性水平,以保證LED芯片質(zhì)量。 1、引言 作為電子元器件, 發(fā)光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出

閱讀:10572014年06月25日 14:53:00
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
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硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

摘要:日前,在廣州舉行的2013年 LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵 大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術(shù)的最新進(jìn)展

閱讀:12382014年06月25日 14:53:00

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