1. LED封裝技術(shù)
根據(jù)不同的應(yīng)用需要,LED的芯片可通過(guò)多種封裝方式做成不同結(jié)構(gòu)和外觀的器件,生產(chǎn)出各種色溫、顯色指數(shù)、品種和規(guī)格的LED產(chǎn)品。按封裝是否帶有引腳,LED可分為引腳式封裝和表面貼裝封裝兩種類型。常規(guī)小功率LED的封裝形式主要有:直插式DIP LED、表面貼裝式SMD LED、食人魚(yú)Piranha LED和PCB集成化封裝。功率型LED是未來(lái)
?。?)引腳式封裝 采用引線架作為各種封裝外型的引腳。圓頭插腳式LED是常用的封裝形式。這種封裝常用環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂作為包封材料,芯片約90%的熱量由引線架傳遞到印刷電路板(PCB)上,再散發(fā)到周圍空氣中。環(huán)氧樹(shù)脂的直徑有7mm、5mm、4mm、3mm和2mm等規(guī)格。發(fā)光角(2θ1/2)的范圍可達(dá)18~120°。
?。?)表面貼裝封裝 它是繼引腳式封裝之后出現(xiàn)的一種重要封裝形式。它通常采用塑料帶引線片式載體(Plastic Leaded Chip Carrier,PLCC),將LED芯片放在頂部凹槽處,底部封以金屬片狀引腳。LED采用表面貼裝封裝,較好地解決了亮度,視角,平整度,一致性和可靠性等問(wèn)題,是目前LED封裝技術(shù)的一個(gè)重要發(fā)展方向。
?。?)功率型LED封裝 功率型LED分普通功率LED(小于1W)和瓦級(jí)功率LED(1W及以上)兩種。其中,瓦級(jí)功率LED是未來(lái)照明的核心。單芯片瓦級(jí)功率LED最早是由
2. 熒光粉
目前
熒光粉已經(jīng)成為半導(dǎo)體照明技術(shù)中的關(guān)鍵材料之一,它的特性直接決定了熒光粉轉(zhuǎn)換LED的亮度、顯色指數(shù)、色溫及流明效率等性能。目前的黃色熒光粉主要有鈰激活釔鋁石榴石(Y3Al5O12:Ce3+,YAG:Ce)和銪激活堿土金屬硅酸鹽;紅色熒光粉主要有:Ca1-xSrxS:Eu2+、YVO4:Bi3+,Eu3+和M2Si5N8:Eu2+(M=Ca,Sr,Ba)等;綠色熒光粉主要有:SrGa2S4:Eu2+、M2SiO4:Eu2+(M=Ca,Sr,Ba)和MSi2N2O2:Eu2+(M=Ca,Sr,Ba)等;藍(lán)色熒光粉主要有:BaMg2Al16O27:Eu2+、Sr5(PO4)Cl:Eu2+、Ba5SiO4Cl6:Eu2+和LiSrPO4:Eu2+等。
3. 熒光粉在封裝中的應(yīng)用
封裝之前除了需確定封裝結(jié)構(gòu)外,還需選擇好芯片和熒光粉。對(duì)于高色溫的冷白光LED通常選用InGaN芯片配合YAG:Ce黃色熒光粉,獲得低色溫的暖白光LED需要在此基礎(chǔ)上添加紅色熒光粉或采用紫外芯片配合三基色熒光粉。LED芯片和熒光粉之間存在一個(gè)匹配的問(wèn)題,只有當(dāng)LED芯片的發(fā)射峰與熒光粉的激發(fā)峰最大程度地重疊時(shí),才能最大限度地發(fā)揮LED芯片和熒光粉的效率。
圖1為InGaN芯片和YAG:Ce熒光粉的熒光光譜,其中左邊帶斜線陰影部分為InGaN芯片的發(fā)射光譜,左邊淡灰色陰影為YAG:Ce的激發(fā)光譜;右邊為在460nm激發(fā)下的發(fā)射光譜。從圖中可以看出,InGaN芯片的發(fā)射光譜和YAG:Ce的激發(fā)光譜重合的非常好,這樣就使YAG:Ce處于最有效的激發(fā)條件下,從而使YAG:Ce的發(fā)光效率最高。當(dāng)YAG:Ce的激發(fā)主峰向左或向右偏移InGaN芯片的發(fā)射峰時(shí),都大幅降低兩者的重疊程度,從而導(dǎo)致封裝后LED 的光效顯著降低。
圖2是不同YAG:Ce熒光粉添加量的LED色坐標(biāo),其中1點(diǎn)為InGaN藍(lán)光芯片的色坐標(biāo),7點(diǎn)為YAG:Ce熒光粉的色坐標(biāo),2點(diǎn)到6點(diǎn)是將YAG:Ce熒光粉薄層置于玻璃上用LED芯片激發(fā)所測(cè)得的色坐標(biāo),2點(diǎn)為添加一層YAG:Ce熒光粉,3點(diǎn)為添加2層YAG:Ce熒光粉,依次類推。由圖可看出,適當(dāng)調(diào)節(jié)YAG:Ce熒光粉的厚度即可使白光LED的色坐標(biāo)在芯片色坐標(biāo)與熒光粉色坐標(biāo)連線上移動(dòng)。另外,從圖2中有一個(gè)三角形,其三個(gè)頂點(diǎn)坐標(biāo)分別為美國(guó)國(guó)家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)(NTSC)規(guī)定的紅、綠、藍(lán)三基色熒光粉的色坐標(biāo)。在圖2中還可以看到有一條黑色的弧線,這是根據(jù)黑體輻射公式計(jì)算出的在不同溫度下黑體的色坐標(biāo)曲線,稱為黑體軌跡,它是衡量白光LED色溫的重要依據(jù)。
圖3為用熒光粉調(diào)制白光LED 的色溫,圖3左邊標(biāo)出了InGaN芯片色坐標(biāo)和一系列不同YAG:Ce色坐標(biāo)之間的連線和4500K~10000K等相關(guān)色溫線,圖3右邊為左圖在白光區(qū)域的局部放大圖。從圖3中可知,當(dāng)YAG:Ce的色坐標(biāo)靠近綠光區(qū)域時(shí),InGaN芯片和YAG:Ce的色坐標(biāo)連線與各等相關(guān)色溫線的交點(diǎn),隨著色溫的降低而偏離黑體軌跡逐漸增大。這表明偏綠光的YAG:Ce不適合于封裝中低色溫的白光LED,因?yàn)槿绻庋b中低色溫的白光LED將會(huì)使白光LED的色坐標(biāo)在黑體軌跡上方偏離較大,這樣顯色性差,會(huì)從而超出國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)規(guī)定的允許誤差范圍內(nèi)。同理,當(dāng)YAG:Ce的色坐標(biāo)靠近橙光區(qū)域時(shí),它不適合用于封裝高色溫的白光LED,這樣封裝出的白光LED的色坐標(biāo)同樣會(huì)在黑體軌跡下方偏離較大。因此,需要根據(jù)所需封裝的白光LED色溫相應(yīng)地選取適當(dāng)色坐標(biāo)的熒光粉,通過(guò)調(diào)節(jié)熒光粉的使用量來(lái)使封裝后白光LED的色坐標(biāo)盡量靠近黑體軌跡,使其符合國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)。
上面只給出了YAG:Ce匹配450nm的藍(lán)光LED芯片的情況,實(shí)際使用的藍(lán)光LED芯片還有很多,發(fā)射波長(zhǎng)一般在450nm~470nm之間。因此,我們需要針對(duì)每個(gè)發(fā)射波長(zhǎng)的LED芯片研發(fā)一系列色坐標(biāo)不同的YAG:Ce熒光粉,用于封裝一系列不同色溫的白光LED。對(duì)于低色溫白光LED(3300K以下),YAG:Ce由于缺乏紅光成分不能滿足要求,需要對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。比如通過(guò)Ce和Pr共摻雜YAG,可使封裝后的白光LED顯色指數(shù)(Ra)達(dá)到83左右。要獲得顯色指數(shù)Ra大于90的白光LED,則需添加紅色熒光粉(如Sr2Si5N8:Eu2+)配合YAG:Ce使用。因此,對(duì)于高顯色性低色溫的暖白光LED來(lái)說(shuō),開(kāi)發(fā)高效穩(wěn)定的紅色熒光粉是至關(guān)重要的。
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