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　　藍(lán)寶石由于具有與GaN大體匹配的晶格，以及與同質(zhì)襯底相比的成本效益，是< color=#0000ff>LED開(kāi)盒即用晶片的卓越材料。在諸如商業(yè)和住宅< color=#0000ff>照明等應(yīng)用不斷增加的需求推動(dòng)下，為了滿(mǎn)足今后數(shù)年里預(yù)期的市場(chǎng)增長(zhǎng)，LED市場(chǎng)將需要越來(lái)越多的低成本LED級(jí)藍(lán)寶石。藍(lán)寶石的高熔點(diǎn)導(dǎo)致諸如氧空位和間隙原子等點(diǎn)缺陷的平衡量 [1]。缺陷的濃度足夠高時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致小角度晶界；后者以具有極高位錯(cuò)密度的線性區(qū)域作為特征。

　　確定藍(lán)寶石材料的質(zhì)量，以及是否達(dá)到LED應(yīng)用的要求，乃是整個(gè)制造價(jià)值鏈不可缺少的組成部分。評(píng)估開(kāi)盒即用晶片質(zhì)量方法之一的一種參照測(cè)試方法稱(chēng)為腐蝕坑密度（etch pit density，簡(jiǎn)稱(chēng)EPD）測(cè)試法。EPD測(cè)量值一般用于確定襯底上外延層的質(zhì)量。近來(lái)，LED行業(yè)已將EPD（腐蝕坑密度法）用于評(píng)估藍(lán)寶石襯底的質(zhì)量，以及其生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)LED的適用性。

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