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　　要想得到< color=#0000ff>大功率LED器件，就必須制備合適的大功率< color=#0000ff>LED芯片。國(guó)際上通常的制造大功率< color=#0000ff>LED芯片的方法有如下幾種：

　?、俅蟪叽绶?。通過增大單體LED的有效發(fā)光面積和尺寸，促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布，以達(dá)到預(yù)期的光通量。但是，簡(jiǎn)單地增大發(fā)光面積無法解決散熱問題和出光問題，并不能達(dá)到預(yù)期的光通量和實(shí)際應(yīng)用效果。

　　②矽底板倒裝法。首先制備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時(shí)制備出相應(yīng)尺寸的矽底板，并在矽底板上制作出供共晶焊接用的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層（超聲金絲球焊點(diǎn)），再利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與矽底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)較為合理，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率LED的生產(chǎn)方式。

　　美國(guó)Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）結(jié)構(gòu)，其制造流程是：首先在外延片頂部的P型GaN上淀積厚度大于500A的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射；再采用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；經(jīng)淀積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1mm×1mm，P型歐姆接觸為正方形，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最?。蝗缓髮⒔饘倩裹c(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管（ESD）的矽載體上。

　?、厶沾傻装宓寡b法。先利用LED芯片通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層，然后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)既考慮了出光問題也考慮到了散熱問題，并且采用的陶瓷底板為高導(dǎo)熱陶瓷板，散熱效果非常理想，價(jià)格又相對(duì)較低，所以為目前較為適宜的底板材料，并可為將來的積體電路一體化封裝預(yù)留空間。

　　④藍(lán)寶石襯底過渡法。按照傳統(tǒng)的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出PN結(jié)后，將藍(lán)寶石襯底切除，再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED芯片。

　?、軦lGaInN碳化矽（SiC）背面出光法。美國(guó)Cree公司是全球唯一采用SiC襯底制造AlGaInN超< color=#0000ff>高亮度LED的廠家，幾年來其生產(chǎn)的AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。由于P型和N型電極分別位于芯片的底部和頂部，采用單引線鍵合，相容性較好，使用方便，因而成為AlGaInNLED發(fā)展的另一主流產(chǎn)品。