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　1.正向電壓下降，暗光

　　A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。

　　B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發(fā)生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。

　　別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降，首要緣由有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩(wěn)定。

　　正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時，經過芯片的電流小，然后體現(xiàn)暗點，還有一種暗光表象是芯片自身發(fā)光功率低，正向壓降正常。

　　2.難壓焊：（首要有打不粘，電極掉落，打穿電極）

　　A:打不粘：首要因為電極外表氧化或有膠

　　B:有與發(fā)光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢，其間以加厚層掉落為主。

　　C:打穿電極：通常與芯片資料有關，資料脆且強度不高的資料易打穿電極，通常GAALAS資料（如高紅，紅外芯片）較GAP資料易打穿電極，

　　D:壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時刻，壓力，金球巨細，支架定位等進行調整。

　　3.發(fā)光色彩區(qū)別：

　　A:同一張芯片發(fā)光色彩有顯著區(qū)別首要是因為外延片資料疑問，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長是很難確保各區(qū)域組分共同。（組分決議禁帶寬度，禁帶寬度決議波長）。

　　B:GAP黃綠芯片，發(fā)光波長不會有很大誤差，可是因為人眼對這個波段色彩靈敏，很簡單查出偏黃，偏綠。因為波長是外延片資料決議的，區(qū)域越小，呈現(xiàn)色彩誤差概念越小，故在M/T作業(yè)中有附近選取法。

　　C:GAP赤色芯片有的發(fā)光色彩是偏橙黃色，這是因為其發(fā)光機理為直接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易發(fā)生雜質能級偏移和發(fā)光飽滿，發(fā)光是開端變?yōu)槌赛S色。

　　4.閘流體效應；

　　A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到必定程度，電流發(fā)生驟變。

　　B:發(fā)生閘流體表象緣由是發(fā)光資料外延片成長時呈現(xiàn)了反向夾層，有此表象的LED在IF=20MA時測驗的正向壓降有躲藏性，在運用進程是出于南北極電壓不行大，體現(xiàn)為不亮，可用測驗信息儀器從晶體管圖示儀測驗曲線，也能夠經過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn)，小電流下的正向壓降顯著偏大，則能夠是該疑問所形成的。

　　5.反向漏電：

　　A:緣由：外延資料，芯片制造，器材封裝，測驗通常5V下反向漏電流為10UA,也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。

　　B:不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。

　　C:外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點所形成的，芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經過毛細表象爬到結區(qū)。