對于
1、芯片發(fā)熱
這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0。6W,當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率mos管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf),其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、v和f。如果c、v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。再簡單一點,就是考慮更好的散熱吧。
2、功率管發(fā)熱
功率管的功耗分成兩部分,開關損耗和導通損耗。要注意,大多數(shù)場合特別是
3、工作頻率降頻
這個也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象,降頻主要由兩個方面導致:輸入電壓和負載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。對于前者,注意不要將負載電壓設置的太高,雖然負載電壓高,效率會高點。對于后者,可以嘗試以下幾個方面:a:將最小電流設置的再小點;b:布線干凈點,特別是sense這個關鍵路徑;c:將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感;d:加RC低通濾波吧,這個影響有點不好,C的一致性不好,偏差有點大,不過對于照明來說應該夠了。
無論如何降頻沒有好處,只有壞處,所以一定要解決。
4、電感或者變壓器的選擇
終于談到重點了,我還沒有入門,只能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反應,相同的驅(qū)動電路,用a生產(chǎn)的電感沒有問題,用b生產(chǎn)的電感電流就變小了。遇到這種情況,要看看電感電流波形。有的工程師沒有注意到這個現(xiàn)象,直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達到需要的電流,這樣做可能會嚴重影響LED的使用壽命。所以說,在設計前,合理的計算是必須的,如果理論計算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點遠,要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。
變壓器飽和時,L會變小,導致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升,那么LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下,只能看著光衰了。
5、LED電流大小
大家都知道LEDripple過大的話,LED壽命會受到影響,影響有多大,也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個數(shù)據(jù),他們說30%以內(nèi)都可以接受,不過后來沒有經(jīng)過驗證。建議還是盡量控制小點。如果散熱解決的不好的話,LED一定要降額使用。也希望有專家能給個具體指標,要不然影響LED的推廣。
說了這么多,看起來LED驅(qū)動設計并不難,一定要心中有數(shù)。只要做到調(diào)試前計算,調(diào)試時測量,調(diào)試后老化,相信誰都可以搞LED了。
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