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　　東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo Institute of Technology）的研究人員開發(fā)出新穎的透明氧化物半導(dǎo)體材料，當(dāng)設(shè)計(jì)于OLED顯示器的電子注入層和傳輸層時(shí)，能夠提高電子遷移率。

　　由東京工業(yè)大學(xué)創(chuàng)新研究所（Institute of Innovative Research）教授細(xì)野秀雄（Hideo Hosono）主導(dǎo)的這項(xiàng)研究，是日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（Japan Science and Technology Agency；JST）「策略基本研究計(jì)劃」（Strategic Basic Research Programs）的一部份。研究人員專注于銦鎵鋅氧－薄膜晶體管（IGZO－TFT）如何應(yīng)用在OLED顯示器上，因而成功地利用透明非晶氧化物開發(fā)用于電子注入層和電子傳輸層的新材料。

　　新開發(fā)的透明氧化物半導(dǎo)體——鋁酸鈣電極（a－C12A7：e）和硅酸鋅（a－ZSO），據(jù)稱能夠在將IGZO－TFT應(yīng)用于OLED顯示器時(shí)提高其穩(wěn)定性，同時(shí)降低制造成本。

　　研究人員在美國(guó)國(guó)家科學(xué)院院刊（Proceedings of the National Academy of the USA）在線版發(fā)布其研究結(jié)果，在其主題為「用于有機(jī)電子的透明非晶氧化物半導(dǎo)體：應(yīng)用于轉(zhuǎn)化OLED」的論文中，a－C12A7：e被描述為具有超低的3．0 eV功函數(shù)（相當(dāng)于鋰金屬），可用于增強(qiáng)從a－ZSO到發(fā)射層的電子注入特性。

　　a－ZSO據(jù)稱能表現(xiàn)出3．5eV的低功函數(shù)以及1cm＾2／（V·s）的高電子遷移率，超過一般有機(jī)材料約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。硅酸鋁鋅也可以與傳統(tǒng)陰極和陽極材料共同形成奧姆接觸，使其成為非常通用的傳輸層。

　　利用這種新材料，研究人員能制造出性能相當(dāng)于或優(yōu)于堆棧結(jié)構(gòu)的OLED，即使是其采用反向堆棧結(jié)構(gòu)（陰極在底部的結(jié)構(gòu)）時(shí)。這是因?yàn)樾虏牧媳苊饬擞袡C(jī)半導(dǎo)體的低電子遷移率，而其透明度則可實(shí)現(xiàn)任何堆棧順序。

　　研究人員還在大面積基板上展示其新半導(dǎo)體材料的可制造性，以及與沈積透明ITO電極一樣簡(jiǎn)單。此外，該薄膜是非晶質(zhì)的，具有優(yōu)異的平滑度，因而可讓薄膜與其上形成的ITO電極同時(shí)進(jìn)行濕式蝕刻，從而簡(jiǎn)化大量生產(chǎn)的制程。