利用光線透過(guò)光罩照射在感光材料上，再以溶劑浸泡將感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻圖案會(huì)和光罩完全相同或呈互補(bǔ)。由于微影制程的環(huán)境是采用黃光照明而非一般攝影暗房的紅光，所以這一部份的制程常被簡(jiǎn)稱為“黃光”。微影制程很好地實(shí)現(xiàn)了黃光工藝觸摸屏視覺(jué)上的精準(zhǔn)度。
此種電容屏有助于手機(jī)在超窄邊框上面布線，使手機(jī)工藝如鐘表般精細(xì)，更薄，身材更漂亮，更有利于超窄邊款手機(jī)的散熱，更是貼合技術(shù)的絕配。
黃光制程百問(wèn)百答
1、PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影后檢查→CD量測(cè)→Overlay量測(cè)
2、何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？
答：Photoresist（光阻）.是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩（Reticle）上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。
3、何為正光阻?
答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會(huì)改變，并在之后的顯影過(guò)程中被曝光的部分被去除。
4、何為負(fù)光阻?
答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來(lái)的顯影過(guò)程中會(huì)被留下，而沒(méi)有被感光的部分則被顯影過(guò)程去除。
5、什幺是曝光？什幺是顯影？
答：曝光就是通過(guò)光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來(lái)的過(guò)程。
6、何謂 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過(guò)程。
7、Photo主要流程為何?
答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等。
8、何謂PHOTO區(qū)之前處理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對(duì)Wafer表面進(jìn)行一系列的處理工作，以使光阻能在后面的涂布過(guò)程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過(guò)程。其中通過(guò)Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進(jìn)行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結(jié)合。
9、何謂上光阻?
答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過(guò)噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。
10、何謂Soft Bake?
答：上完光阻之后，要進(jìn)行Soft Bake，其主要目的是通過(guò)Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來(lái)的線寬，同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。
11、何謂曝光?
答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過(guò)程，同時(shí)將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過(guò)程。
12、何謂PEB（Post Exposure Bake）?
答：PEB是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的Bake的過(guò)程。其目的在于使被曝光的光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。
13、何謂顯影?
答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進(jìn)行成象的過(guò)程，通過(guò)這個(gè)過(guò)程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來(lái)。
14、何謂Hard Bake?
答：Hard Bake是通過(guò)烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過(guò)程。
15、何為BARC?何為T(mén)ARC?它們分別的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過(guò)程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
16、何謂 Iline？
答：曝光過(guò)程中用到的光，由Mercury Lamp（汞燈）產(chǎn)生，其波長(zhǎng)為365nm，其波長(zhǎng)較長(zhǎng)，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。
17、何謂 DUV？
答：曝光過(guò)程中用到的光，其波長(zhǎng)為248nm，其波長(zhǎng)較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。
18、I-line與DUV主要不同處為何?
答：光源不同，波長(zhǎng)不同，因此應(yīng)用的場(chǎng)合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進(jìn)制程的Critical layer上。#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#
19、何為Exposure Field?
答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域
20、何謂 Stepper? 其功能為何?
答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Step by step形式,一次曝整個(gè)exposure field,一個(gè)一個(gè)曝過(guò)去
21、何謂 Scanner? 其功能為何?
答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Scanning and step形式, 在一個(gè)exposure field曝光時(shí), 先Scan完整個(gè)field, Scan完后再移到下一個(gè)field.
22、何為象差？
答：代表透鏡成象的能力,越小越好.
23、Scanner比Stepper優(yōu)點(diǎn)為何？
答：Exposure Field大，象差較小
24、曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？
答：Energy（曝光量）, Focus（焦距）。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距，這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。
25、何為Reticle?
答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過(guò)程中的原始圖形的載體，通過(guò)曝光過(guò)程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。
26、何為Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。
27、何為OPC光罩？
答：OPC （Optical Proximity Correction）為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
28、何為PSM光罩？
答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。
29、何為CR Mask？
答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應(yīng)用在較不Critical 的layer
30、光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表產(chǎn)品號(hào)，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，后一個(gè)A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV（如果是J,則代表I-line）,A代表ASML機(jī)臺(tái)（如果是C，則代表Canon機(jī)臺(tái)）
31、光罩室同時(shí)不能超過(guò)多少人在其中？
答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。
32、存取光罩的基本原則是什幺？
答：（1） 光罩盒打開(kāi)的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出Mask Room,最多只準(zhǔn)保持2個(gè)人（2） 戴上手套（3） 輕拿輕放
33、如何避免靜電破壞Mask？
答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。
34、光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？
答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動(dòng)FOUP時(shí)碰撞光罩Pod而損壞光罩。
35、何謂 Track?
答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過(guò)程。
36、In-line Track機(jī)臺(tái)有幾個(gè)Coater槽，幾個(gè)Developer槽？
答：均為4個(gè)
37、機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程？
答：機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)該及時(shí)Call E.E進(jìn)行處理。若EE現(xiàn)在無(wú)法立即解決，則將機(jī)臺(tái)掛DOWN。
38、何謂 WEE? 其功能為何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ@樣便可以消除影響。
39、何為PEB？其功能為何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standing waves）
40、PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻
答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。
41、RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有Reject記錄。
42、何謂 Overlay? 其功能為何?
答：迭對(duì)測(cè)量?jī)x。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度，如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個(gè)電路不能完成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過(guò)程中，要對(duì)其與前層的對(duì)準(zhǔn)精度進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè)量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整process condition.
43、何謂 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過(guò)后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測(cè)量CD的值來(lái)確定process的條件是否合適。
44、何謂 CD-SEM? 其功能為何?
答：掃描電子顯微鏡。是一種測(cè)量用的儀器，通?？梢杂糜跍y(cè)量CD以及觀察圖案。
45、PRS的制程目的為何？
答：PRS （Process Release Standard）通過(guò)選擇不同的條件（能量和焦距）對(duì)Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。
46、何為ADI？ADI需檢查的項(xiàng)目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過(guò)ADI機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect
47、何為OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan
48、當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將ETCH沒(méi)有下機(jī)臺(tái)的貨追回來(lái)？
答：需要。因?yàn)橥ǔＪ莗rocess出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒(méi)有ETCH的貨追回來(lái)，否則ETCH之后就無(wú)法挽回?fù)p失。
49、PHOTO ADI、PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個(gè)點(diǎn)？PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？
答：PHOTO ADI檢查的SITE是5點(diǎn)，Wafer中間一點(diǎn)，周?chē)狞c(diǎn)。PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片20點(diǎn)。PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是#1，#6，#15，#24; 統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考慮。
50、半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?
答：鵭線（W）/鋁線（Al）/銅線（Cu）
51、何謂RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS （Reticle Management System） 光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
52、PHOTO區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行PM的周期？#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#
答：一周一次
53、PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型？
答：
（1） Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測(cè)前需小于10顆
（2） Chuck Particle :作為Scanner測(cè)試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高
?。?） Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer
?。?） CD :做為photo區(qū)daily monitor CD穩(wěn)定度的wafer
?。?） PR thickness :做為光阻厚度測(cè)量的wafer
?。?） PDM :做為photo defect monitor的wafer
54、當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？
答：有少量光阻
55、何謂電漿 Plasma?
答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù)離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓.
56、Asher機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何?
答：溫度
57、光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺? 它們的作用是什幺?
答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是: TRACK（涂膠顯影機(jī)）, Sanner（掃描曝光機(jī)）
58、為什幺說(shuō)光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)
答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的照相機(jī). 光罩上的電路圖形就是"人物". 通過(guò)對(duì)準(zhǔn),對(duì)焦,打開(kāi)快門(mén), 讓一定量的光照過(guò)光罩, 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現(xiàn)出來(lái)了.
59、何謂反射功率?
答：蝕刻過(guò)程中,所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會(huì)有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率
60、常聽(tīng)說(shuō)的.18 或點(diǎn)13 技術(shù)是指什幺?
答：它是指某個(gè)產(chǎn)品,它的最小"CD" 的大小為0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).
61、從點(diǎn)18工藝到點(diǎn)13 工藝到點(diǎn)零9. 難度在哪里?
答：難度在光刻部, 因?yàn)閳D形越來(lái)越小, 曝光機(jī)分辨率有限.
62、曝光機(jī)的NA 是什幺?
答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開(kāi)的角度的正玹值. 最大是1; 先進(jìn)的曝光機(jī)的NA 在0.5 ---0.85之間.
63、曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的?
答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波長(zhǎng);NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑; k1是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù)。
64、如何提高曝光機(jī)的分辨率呢?
答：減短曝光的光波長(zhǎng), 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高NA.
65、為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？
答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光,所以采用黃光; 就象洗像的暗房采用暗紅光照明.
66、何謂濕式蝕刻和干式蝕刻
答：濕式蝕刻：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除。干式蝕刻：利用plasma將不要的薄膜去除。
67、如何做Overlay 測(cè)量呢?
答：芯片（Wafer）被送進(jìn)Overlay 機(jī)臺(tái)中. 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個(gè)MARK 是一個(gè)方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu).大方塊是前層, 小方塊是當(dāng)層;通過(guò)小方塊是否在大方塊中心來(lái)確定Overlay的好壞.
68、生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺
答：曝光機(jī);
69、曝光機(jī)貴在哪里?
答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)
70、在WAFER 上, 什幺叫一個(gè)Field?
答：光罩上圖形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一塊（這一塊就叫一個(gè)Field）,激光工作臺(tái)把WAFER 移動(dòng)一個(gè)Field的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝光。 直到覆蓋整片WAFER。 所以，一片WAFER 上有約100左右Field.
71、什幺叫一個(gè)Die?
答：一個(gè)Die也叫一個(gè)Chip;它是一個(gè)功能完整的芯片。 一個(gè)Field可包含多個(gè)Die;
72、為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)”
答：曝光機(jī) 很貴；一天的折舊有好幾萬(wàn)人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能。
73、Track和Scanner內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer
答：機(jī)器人手臂（robot）, Scanner 的ROBOT 有真空（VACCUM）來(lái)吸住WAFER. TRACK的ROBOT 設(shè)計(jì)獨(dú)特, 用邊緣HOLD WAFER.
74、可否用肉眼直接觀察測(cè)量Scanner曝光光源輸出的光？
答：絕對(duì)禁止;強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害
75、為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner應(yīng)用Foundation（底座）
答：Scanner曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求（減震）
76、近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段?
答：從80’S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長(zhǎng)劃分的;高壓水銀燈的G-line（438nm）, I-line（365nm）; excimer laser KrF（248nm）, ArF laser（193nm）
77、如何做CD 測(cè)量呢?
答：芯片（Wafer）被送進(jìn)CD SEM 中. 電子束掃過(guò)光阻圖形（Pattern）.有光阻的地方和無(wú)光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同; 處理此信號(hào)可的圖像.對(duì)圖像進(jìn)行測(cè)量得CD.
78、什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說(shuō)的景深相似. 光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一側(cè)的某個(gè)平面成像, 我們稱之為像平面（Image Plan）, 只有將像平面與光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰圖形. 當(dāng)離開(kāi)一段距離后, 圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫DOF
79、曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉．去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當(dāng)例子注入的模板．
80、光阻種類有多少？
答：光阻種類有很多．可根據(jù)它所適用的曝光波長(zhǎng)分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻。
81、Scanner在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解：
答：Scanner 是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制iverlay<40nm,在曝光過(guò)程中，光罩和Wafer的運(yùn)動(dòng)要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位置<10nm．相當(dāng)于兩架時(shí)速1000公里／小時(shí)的波音747飛機(jī)前后飛行，相距小于10微米
82、光罩的結(jié)構(gòu)如何？
答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時(shí)，用電子束或激光在鉻膜上寫(xiě)上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護(hù)鉻膜不受外界污染.
83、在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙
答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃（particle）．進(jìn)cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.
84、光阻層的厚度大約為多少？#p#分頁(yè)標(biāo)題#e#
答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)．I-line光阻最厚。
85、哪些因素影響光阻厚度？
答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)．
86、哪些因素影響光阻厚度的均勻度？
答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)．
87、金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗?
答：因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中
88、根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)?
答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機(jī)排氣（Solvent） 四個(gè)系統(tǒng)。
89、高架 地板分有孔和無(wú)孔作用?
答：使循環(huán)空氣能流通 ，不起塵，保證潔凈房?jī)?nèi)的潔凈度; 防靜電；便于HOOK-UP。
90、離子發(fā)射系統(tǒng)作用
答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電
91、什幺是制程工藝真空系統(tǒng)（PV）
答：是提供廠區(qū)無(wú)塵室生產(chǎn)及測(cè)試機(jī)臺(tái)在制造過(guò)程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力（真空度大于 80 kpa）和流量，每天24小時(shí)運(yùn)行
92、House Vacuum System 作用
答：HV（House Vacuum）系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開(kāi)運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。
93、Filter Fan Unit System（FFU）作用和Clean Room 潔凈室系統(tǒng)
答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度，由Fan和Filter（ULPA）組成。潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺(tái)設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境要求。
94、工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機(jī)臺(tái)維護(hù)時(shí)，要注意不能有酸或有機(jī)溶劑（如IPA等）進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是因?yàn)椋?/strong>
答：酸會(huì)導(dǎo)致conductivity（導(dǎo)電率）升高，有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致TOC升高。兩者均會(huì)影響并降低純水回收率。
95、若在Fab 內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何處理或通報(bào)？若機(jī)臺(tái)內(nèi)的drain管有接錯(cuò)或排放成分分類有誤，將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問(wèn)題?
答：先檢查是否為機(jī)臺(tái)漏水或做PM所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室。機(jī)臺(tái)內(nèi)的drain管有接錯(cuò)或排放成分分類有誤將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格，從而可能導(dǎo)致公司排放口超標(biāo)排放的事故。
96、當(dāng)機(jī)臺(tái)用到何種氣體時(shí)，須安裝氣體偵測(cè)器?
答：PH3
97、蝕刻對(duì)象依薄膜種類可分為:
答：poly,oxide, metal
98、何謂蝕刻（Etch）?
答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。
蝕刻種類:（1） 干蝕刻（2） 濕蝕刻
99、AEI目檢Wafer須檢查哪些項(xiàng)目:
答：（1） 正面顏色是否異常及刮傷 （2） 有無(wú)缺角及Particle （3）刻號(hào)是否正確
100、名詞解釋：
熱交換器（HEAT EXCHANGER）：將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達(dá)到溫度控制之目地
AEI：After Etching Inspection 蝕刻后的檢查
金屬蝕刻機(jī)臺(tái)asher：去光阻及防止腐蝕
UV curing：利用UV光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度
Over-etching（過(guò)蝕刻 ）：蝕刻過(guò)多造成底層被破壞
Etch rate（蝕刻速率）：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度
Seasoning（陳化處理）：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy） 晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。
Spin Dryer：利用離心力將晶圓表面的水份去除
Maragoni Dryer：利用表面張力將晶圓表面的水份去除
IPA Vapor Dryer：利用IPA（異丙醇）和水共溶原理將晶圓表面的水份去除
Asher的主要用途:：光阻去除
Wet bench dryer 功用：將晶圓表面的水份去除
SEM：掃描電子顯微鏡（Scan Electronic Microscope）光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來(lái)測(cè)量CD
BACKSIDE HELIUM COOLING：藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化
ORIENTER ：搜尋notch邊,使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定,可追蹤問(wèn)題
EPD：偵測(cè)蝕刻終點(diǎn);End point detector利用波長(zhǎng)偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)
MFC：mass flow controler氣體流量控制器;用于控制 反應(yīng)氣體的流量
GDP：氣體分配盤(pán)（gas distribution plate）
isotropic etch：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等
anisotropic etch：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少
etch ：不同材質(zhì)之蝕刻率比值
AEI CD：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸（Critical Dimension）
CD bias：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD
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