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Micro LED領(lǐng)域又一突破!

編輯:chinafpd 2020-05-14 16:40:18 瀏覽:4243  來源:中華顯示網(wǎng)

據(jù)報(bào)道,韓國首爾國立大學(xué)(SNU)的研究團(tuán)隊(duì)成功在100nm的藍(lán)寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列。

據(jù)論文顯示,SNU的材料科學(xué)和工程系團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)出一種藍(lán)寶石納米薄膜陣列,用于生長尺寸為4μm × 16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經(jīng)過等離子蝕刻工藝就能夠?qū)崿F(xiàn)Micro LED芯片的單片化,提供更高的外量子效率(EQE)。

圖片來源: 《科學(xué)報(bào)告》/SNU

相比在平面基板上生長的氮化鎵基Micro LED,在藍(lán)寶石納米薄膜上生長Micro LED的新方法將Micro LED的位錯(cuò)密度降低了59.6%,內(nèi)量子效率(IQE)提高了44%。此外,由此方法生長出的Micro LED的光致發(fā)光能力是前者的3.3倍。

同時(shí),還可以通過機(jī)械力破壞藍(lán)寶石納米薄膜,因此,可輕易將Micro LED與基板分離并轉(zhuǎn)移至顯示驅(qū)動(dòng)背板上,簡化了制程,降低了成本。

研究團(tuán)隊(duì)認(rèn)為,此技術(shù)突破克服了現(xiàn)階段Micro LED制造工藝的局限,將加快Micro LED顯示技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

據(jù)悉,研究結(jié)果已發(fā)表在《科學(xué)報(bào)告》(Scientific Reports)雜志上。除了SNU研究者以外,三星尖端技術(shù)研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)、韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)以及韓國光子技術(shù)研究所(Korea Photonics Institute)也參與了這項(xiàng)技術(shù)研究,并獲得三星未來技術(shù)推廣中心(Samsung Future Technology Promotion Center)、韓國教育部BK21 Plus項(xiàng)目及韓國研究基金會(huì)(Korea Research Foundation)的支持。

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