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實(shí)用好文!mini LED專利技術(shù)分析來(lái)了

編輯:chinafpd 2020-11-04 17:36:18 瀏覽:4627  來(lái)源:中華顯示網(wǎng)

  液晶顯示(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管顯示(OLED)是當(dāng)前顯示技術(shù)的主流,其中OLED顯示屏已廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電視等電子產(chǎn)品。近年來(lái),業(yè)界提出了迷你發(fā)光二極管(mini LED)顯示和微型發(fā)光二極管(micro LED)顯示的概念,通過(guò)將發(fā)光二極管的尺寸微縮到毫米以下,使顯示屏的分辨率、功耗、使用壽命等性能得到大幅優(yōu)化。

  micro LED尺寸屬于微納級(jí),現(xiàn)有的顯示屏生產(chǎn)線還不能滿足其精度要求。mini LED尺寸稍大,芯片尺寸介于50微米至200微米之間,量產(chǎn)的難度較小,業(yè)界普遍預(yù)期其爆發(fā)式增長(zhǎng)將會(huì)很快到來(lái)。因此,國(guó)內(nèi)的顯示技術(shù)廠家開(kāi)始加緊布局mini LED相關(guān)專利,技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)暗流涌動(dòng)。近日,三安光電股份有限公司(下稱三安光電)和華燦光電股份有限公司(下稱華燦光電)發(fā)生專利侵權(quán)糾紛,有人士分析這是雙方大舉發(fā)力mini LED前的專利較量。本文從mini LED領(lǐng)域的全球?qū)@暾?qǐng)整體態(tài)勢(shì)出發(fā),基于LED裸芯制造技術(shù)、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、對(duì)位技術(shù)、封裝技術(shù)等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)mini LED產(chǎn)業(yè)的專利狀況進(jìn)行分析,以期為行業(yè)提供參考。

  專利申請(qǐng)?jiān)鲩L(zhǎng)較快

  筆者通過(guò)incopat平臺(tái)進(jìn)行專利檢索后發(fā)現(xiàn),截至2020年10月,mini LED的相關(guān)專利申請(qǐng)共1273項(xiàng)。最早的mini LED專利申請(qǐng)出現(xiàn)于2001年,之后專利申請(qǐng)量呈現(xiàn)逐年遞增但增幅較為平緩的態(tài)勢(shì),直到2018年至2019年,開(kāi)始出現(xiàn)快速增長(zhǎng)的趨勢(shì),年申請(qǐng)量在200件左右,這與業(yè)界預(yù)期的mini LED即將爆發(fā)式增長(zhǎng)相印證。

  從申請(qǐng)人國(guó)別上看,中國(guó)在mini LED領(lǐng)域的專利申請(qǐng)一家獨(dú)大,約占全球申請(qǐng)總量的七成。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn),國(guó)外企業(yè)的專利申請(qǐng)主要集中在micro LED領(lǐng)域,雖然其量產(chǎn)條件尚不成熟,但這也體現(xiàn)了國(guó)外企業(yè)的前瞻性專利布局特點(diǎn)。

  從主要申請(qǐng)人上看,mini LED領(lǐng)域申請(qǐng)量排名前三位的分別是華星光電技術(shù)有限公司(下稱華星光電)、京東方科技股份有限公司(下稱京東方)和深圳隆利科技股份有限公司(下稱深圳隆利)。其中,華星光電、深圳隆利關(guān)于mini LED的專利申請(qǐng)主題絕大部分為背光模組、顯示面板;京東方的布局則較為廣泛,申請(qǐng)主題除了背光模組、顯示面板之外,還涉及mini LED芯片本身。

  關(guān)鍵技術(shù)層層突破

  mini LED是從常規(guī)LED到微納尺寸的micro LED的過(guò)渡技術(shù),其最大的特點(diǎn)是LED尺寸的微縮,但其仍然具有常規(guī)LED的屬性。因此,mini LED的專利競(jìng)爭(zhēng),繞不開(kāi)常規(guī)LED基礎(chǔ)性專利,此次三安光電和華燦光電發(fā)生專利侵權(quán)糾紛的涉案專利,便是三安光電從夏普公司購(gòu)買的常規(guī)LED基礎(chǔ)性專利。常規(guī)LED所面臨的主要技術(shù)問(wèn)題,mini LED也會(huì)涉及,因此,LED裸芯制造技術(shù)同樣是mini  LED的關(guān)鍵技術(shù)之一。例如,針對(duì)外延層之間的晶格匹配以及外延層性能的改進(jìn),東莞市中晶半導(dǎo)體技術(shù)有限公司通過(guò)在外延壘晶襯底與外延壘晶層之間設(shè)置氮化鎵平臺(tái)支撐層,提高了后續(xù)外延壘晶層的晶格匹配度(公告號(hào):CN210576000U);合肥彩虹藍(lán)光技術(shù)有限公司通過(guò)采用小臺(tái)面和大焊盤來(lái)最大化利用發(fā)光面(公開(kāi)號(hào):CN111063778A);福建兆元光電有限公司通過(guò)P型接觸面及電流穩(wěn)定層、P型電流注入層、緩沖絕緣層、應(yīng)力釋放層、N型電流注入層以及N型接觸面及電流穩(wěn)定層這些特殊功能層的使用,從而解決了mini LED耐電流問(wèn)題、絕緣層應(yīng)力問(wèn)題、絕緣層粘附問(wèn)題和焊盤與錫膏的粘附力問(wèn)題(公開(kāi)號(hào):CN111081832A)。

  除了LED裸芯制造技術(shù),mini LED的關(guān)鍵技術(shù)還包括整片LED裸芯制造完成后將其切分成小片(形成mini LED)并安裝到印刷電路板時(shí)的巨量轉(zhuǎn)移、對(duì)位、封裝技術(shù)。其中,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),即將切割裸芯形成的大批量的微小尺寸LED轉(zhuǎn)移到印刷電路板的技術(shù)。mini LED的尺寸極小,采用常規(guī)的封裝方法在晶圓區(qū)域用吸嘴吸取LED芯片,將其轉(zhuǎn)移到指定電路上進(jìn)行固晶,操作時(shí)間較長(zhǎng),吸嘴的吸取力度不好把控,容易造成LED芯片漏抓或者損傷等情況。針對(duì)此,廈門多彩光電子技術(shù)有限公司提出了設(shè)置芯片電極和安裝基板分別具有相反的磁性,通過(guò)磁性自組裝吸附實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)(公開(kāi)號(hào):CN109065692A);深圳市豐泰工業(yè)科技有限公司提出了通過(guò)采用粘性的PET膜一次性轉(zhuǎn)移多個(gè)晶片的技術(shù)(公開(kāi)號(hào):CN109950183A);華星光電提出了對(duì)芯片噴涂粘性液,通過(guò)具有吸附粘性液的轉(zhuǎn)移部件實(shí)現(xiàn)對(duì)mini LED的精確轉(zhuǎn)移的技術(shù)(公開(kāi)號(hào):CN111341710A);晶能光電有限公司提出了將紅光晶片、綠光晶片及藍(lán)光晶片P電極一側(cè)的凸臺(tái)結(jié)構(gòu)嵌入聚酯薄膜的凹槽的技術(shù),便于貼合透明導(dǎo)電基底及導(dǎo)電基板,從而實(shí)現(xiàn)晶片的巨量轉(zhuǎn)移(公開(kāi)號(hào):CN111063675A)。

  對(duì)位技術(shù),即將轉(zhuǎn)移來(lái)的微小尺寸的LED裸芯和印刷電路板上的電路對(duì)位焊接的技術(shù)。mini LED芯片的尺寸和芯片之間的間隙均遠(yuǎn)小于常規(guī)LED,芯片焊盤直徑僅為常規(guī)LED芯片的焊盤直徑的1/10,容易因mini LED芯片和電路板焊盤對(duì)位不準(zhǔn)而失效。解決方案一般是設(shè)置對(duì)位標(biāo)記,或者避免鍵合(bonding)工藝。例如廣東晶格電子股份有限公司在PCB板上設(shè)置具有阻焊點(diǎn)的焊盤,用以定位mini LED芯片的安裝位置(公開(kāi)號(hào):CN109257872A);茂丞科技有限公司提出了晶圓級(jí)發(fā)光面板模組技術(shù),無(wú)需切割、對(duì)位、轉(zhuǎn)移,直接在發(fā)光基板上鉆孔、填孔、貼附濾光膜,然后焊接驅(qū)動(dòng)電路基板(公開(kāi)號(hào):CN111200052A);晶能光電有限公司提出了將電路板和LED芯片排列在支撐膜表面后,用封裝膠進(jìn)行固化,然后用錫膏連接LED芯片電極和電路板,以降低對(duì)位的精度要求(公開(kāi)號(hào):CN109346460A)。

  封裝技術(shù),是將焊接到印刷電路板上的大批量mini LED密封從而形成均勻發(fā)光器件的技術(shù)。由于mini LED芯片之間存在間隙,且每個(gè)mini LED芯片的發(fā)光角度有限,因而兩顆mini LED芯片之間的間隙部分亮度會(huì)偏暗,使整個(gè)顯示面板呈現(xiàn)亮區(qū)和暗區(qū)交替分布的現(xiàn)象,即“滿天星”問(wèn)題。解決該問(wèn)題的途徑一般是提高出光角度,廈門天馬微電子有限公司和華星光電在這方面均進(jìn)行了頗多的研究,例如在每個(gè)mini LED芯片的熒光膜層上對(duì)應(yīng)設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)(公開(kāi)號(hào):CN109212831A)、在熒光層上對(duì)應(yīng)設(shè)置梯形體結(jié)構(gòu)的光學(xué)透鏡并在透鏡層上設(shè)置凹形微結(jié)構(gòu)(公開(kāi)號(hào):CN109270735A)、將熒光層的折射率設(shè)置為小于封裝膠的折射率(公開(kāi)號(hào):CN109459886A)等,以提高光線的照射范圍。除此之外,華星光電還提出了在mini LED間填充熒光粉或量子點(diǎn)形成補(bǔ)光區(qū),從而克服拼接位置處的暗線(公開(kāi)號(hào):CN110349942A),或是通過(guò)將熒光膜整面覆膜成型來(lái)保證芯片的出光在熒光膜中均勻傳導(dǎo),在拼接縫處光線傳導(dǎo)不受阻斷(公開(kāi)號(hào):CN110491866A)。

  技術(shù)展望與建議

  目前,mini LED技術(shù)處于快速發(fā)展期,但專利申請(qǐng)人較為分散,尚未形成穩(wěn)定格局。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)可以繼續(xù)加大巨量轉(zhuǎn)移、對(duì)位、封裝等關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)投入,加強(qiáng)專利布局,通過(guò)專利交叉許可等手段,揚(yáng)長(zhǎng)避短,更好地打入mini LED這一新興領(lǐng)域。同時(shí),還要前瞻性地適量布局micro LED技術(shù),避免mini LED盛宴結(jié)束時(shí),錯(cuò)過(guò)micro LED這一更有前景的市場(chǎng)。(國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作河南中心 郭學(xué)軍 史敏娜 孫?。?/p>

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