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高功率LED散熱解決方案 陶瓷-金屬化技術(shù)

編輯:chris 2011-01-05 09:47:43 瀏覽:1570  來源:《LED專刊》

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  陶瓷材料因本身具有優(yōu)良的絕緣、耐熱及穩(wěn)定等先天特性,所以被大量運(yùn)用在電氣設(shè)備的絕緣上,又因陶瓷金屬化技術(shù)的成熟,近幾年更被應(yīng)用于LED 陶瓷散熱基板與載板的線路鋪設(shè)。陶瓷材料金屬化技術(shù)主要分為「DBC(Direct Bonded Copper) 」及「DPC(Direct Plated Copper) 」。然而,隨著使用元件 的縮小,對(duì)尺寸精度要求更精密,現(xiàn)有DBC工藝已不敷使用,所以多數(shù)改以DPC作為陶瓷金屬化為主要技術(shù),因此DPC的技術(shù)日趨被受重視。

  DPC陶瓷金屬化之工藝技術(shù),其中包含「濺鍍」、「黃光顯影」、「電鑄」與「化鍍」等工藝,其中又以「濺鍍技術(shù)」的優(yōu)劣對(duì)線路強(qiáng)度與穩(wěn)定度影響最深。濺鍍是電漿物理氣相沉積的一種,當(dāng)腔體內(nèi)的惰性氣體被高能電子撞擊形成帶正電之離子,此離子經(jīng)電場(chǎng)加速后沖擊到固體表面,進(jìn)一步對(duì)靶材表面下原子造成擠壓使其發(fā)生移位而碰撞出去,此具有強(qiáng)大動(dòng)能的原子,最終鑲嵌在目標(biāo)基板上形成薄膜,此現(xiàn)象稱之為「濺射」。

  一般濺鍍的工藝多直接在兩極間施加直流電壓,通常是利用氣體的「輝光放電效應(yīng)」,產(chǎn)生正離子束撞擊靶原子,但氣體中之電子僅會(huì)沿著電場(chǎng)方向作直線運(yùn)動(dòng)的行進(jìn),在真空狀態(tài)下與氣體碰撞機(jī)率低,無法大量的游離氣體使其被加速而產(chǎn)生濺鍍,導(dǎo)致濺鍍效率降低。為了提高氣體的游離率及濺鍍效率,一般會(huì)在靶材上加裝封閉的環(huán)狀磁場(chǎng),讓電子受「勞倫茲力」的影響,故會(huì)以螺旋的路徑繞著磁力線前進(jìn),增加與氣體碰撞次數(shù)進(jìn)而提升電漿游離率,此方式就是所謂的「磁控濺鍍」。

  以磁控濺鍍所沉積于基板上的膜層通常都非常薄,所以本身需靠基板的強(qiáng)度去支撐,所以與基板黏著特性就格外的重要,而薄膜與基板的結(jié)合強(qiáng)度主要取決于材料介面,所以薄膜的結(jié)合強(qiáng)度也可稱為「介面強(qiáng)度」。薄膜結(jié)合強(qiáng)度不只由單面所決定,還與介面兩側(cè)的材料種類相關(guān),當(dāng)兩面材料的表面特性差別過大時(shí),須加入一層與兩側(cè)材料特性都相近的中介層來增加接合強(qiáng)度,通常陶瓷材料多以Ni、Cr、Ti與W等元素作為中介層,以增加線路的穩(wěn)定性。除此上述方式外,還可使用前處理降低表面污染,調(diào)整參數(shù)以降低鍍層的顯微缺陷與應(yīng)力集中等問題,以大幅提升陶瓷基板與線路的接和強(qiáng)度。

  濺鍍法不但不易受材料硬度溶點(diǎn)限制,亦可廣泛地應(yīng)用在各材料之上,還具有與基板非常優(yōu)秀的結(jié)合力,所以目前已被大量的導(dǎo)入DPC陶瓷金屬化工藝上。行業(yè)內(nèi)大毅科技以超過十年的被動(dòng)元件薄膜工藝,利用集團(tuán)內(nèi)水平磁控濺鍍機(jī)轉(zhuǎn)型生產(chǎn)LED散熱 陶瓷,除了多元化地為客戶研發(fā)各類高功率 LED散熱解決方案,并以最快速、最合的理價(jià)格與最多樣的產(chǎn)品提供給廠商,期望一同投入綠能LED的推展,并與全人類攜手使用LED減碳救地球。

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