一、無塵室須知 1. 進(jìn)入無塵室前,必須知會管理人,并通過基本訓(xùn)練。 2. 進(jìn)入無塵室嚴(yán)禁吸煙,吃(飲)食,外來雜物(如報章,雜志,鉛筆...等)不可攜入,并嚴(yán)禁嘻鬧奔跑及團(tuán)聚談天。 3. 進(jìn)入無塵室前,需在規(guī)定之處所脫鞋,將鞋置于鞋柜內(nèi),外衣置于衣柜內(nèi),私人物品置于私人柜內(nèi),柜內(nèi)不可放置食物。 4. 進(jìn)入無塵室須先在更衣室,將口罩,無塵帽,無塵衣以及鞋套按規(guī)定依程序穿戴整齊,再經(jīng)空氣洗塵室洗塵,并踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進(jìn)入。 5. 戴口罩時,應(yīng)將口罩戴在鼻子之上,以將口鼻孔蓋住為原則,以免呼吸時污染芯片。 6. 穿著無塵衣,無塵帽前應(yīng)先整理服裝以及頭發(fā),以免著上無塵衣后,不得整理又感不適。 7. 整肅儀容后,先戴無塵帽,無塵帽的穿戴原則系: (1)頭發(fā)必須完全覆蓋在帽內(nèi),不得外露。 (2)無塵帽之下擺要平散于兩肩之上,穿上工作衣后,方不致下擺脫出,裸露肩頸部。 8. 無塵帽戴妥后,再著無塵衣,無塵衣應(yīng)尺吋合宜,才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞,穿衣時應(yīng)注意帽之下擺應(yīng)保平整之狀態(tài),無塵衣不可反穿。 9. 穿著無塵衣后,才著鞋套,拉上鞋套并將鞋套整平,確實蓋在褲管之上。 10. 戴手套時應(yīng)避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染),戴上手套后,應(yīng)將手套之手腕置于衣袖內(nèi),以隔絕污染源。 11. 無塵衣著妥后,經(jīng)洗塵,并踩踏除塵毯,方得進(jìn)入無塵室。 12. 不論進(jìn)入或離開無塵室,須按規(guī)定在更衣室脫無塵衣,不可在其它區(qū)域為之,尤不可在無塵室內(nèi)邊走邊脫。 13. 無塵衣,鞋套等,應(yīng)定期清洗,有破損,脫線時,應(yīng)即換新。 14. 脫下無塵衣時,其順序與穿著時相反。 15. 脫下之無塵衣應(yīng)吊好,并放于更衣室內(nèi)上層柜子中;鞋套應(yīng)放置于吊好的無塵衣下方。 16. 更衣室內(nèi)小柜中,除了放置無塵衣等規(guī)定物品外,不得放置其它物品。 17. 除規(guī)定紙張及物品外,其它物品一概不得攜入無塵室。 18. 無塵衣等不得攜出無塵室,用畢放置于規(guī)定處所。 19. 口罩與手套可視狀況自行保管或重復(fù)使用。 20. 任何東西進(jìn)入無塵室,必須用灑精擦拭干凈。 21. 任何設(shè)備的進(jìn)入,請知會管理人,在無塵室外擦拭干凈,方可進(jìn)入。 22. 未通過考核之儀器,禁止使用,若遇緊急情況,得依緊急處理步驟作適當(dāng)處理,例如關(guān)閉水、電、氣體等開關(guān)。 23. 無塵室內(nèi)絕對不可動火,以免發(fā)生意外。 二、無塵室操作須知 1. 處理芯片時,必須戴上無纖維手套,使用清洗過的干凈鑷子挾持芯片,請勿以手指或其它任何東西接觸芯片,遭碰觸污染過的芯片須經(jīng)清洗,方得繼續(xù)使用: (1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過,或是鑷子掉落地上,必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。 (2) 芯片清洗后進(jìn)行下一程序前,若被手指碰觸過,必須重新清洗。 (3) 把芯片放置于石英舟上,準(zhǔn)備進(jìn)爐管時,若發(fā)現(xiàn)所用鑷子有污損現(xiàn)象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染,必須將芯片重新清洗,并立即更換干凈的鑷子使用。 2. 芯片必須放置盒中,蓋起來存放于規(guī)定位置,盡可能不讓它暴露。 3. 避免在芯片上談話,以防止唾液濺于芯片上,在芯片進(jìn)擴(kuò)散爐前,請?zhí)貏e注意,防止上述動作產(chǎn)生,若芯片上沾有纖維屑時,用氮氣槍噴之。 4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟,石英舟(Quartz Boat)等載具(Carrier)上,取出芯片時,必須垂直向上挾起,避免刮傷芯片,顯微鏡鏡頭確已離芯片,方可從吸座上移走芯片。 5. 芯片上,若已長上氧化層,在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。 6. 操作時,不論是否戴上手套,手絕不能放進(jìn)清洗水槽。 7. 使用化學(xué)站或烤箱處理芯片時,務(wù)必將芯片置放于鐵弗龍晶舟內(nèi),不可使用塑料盒。 8. 擺置芯片于石英舟時,若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片,然后再進(jìn)氧化爐。 9. 請勿觸摸芯片盒內(nèi)部,如被碰觸或有碎芯片污染,必須重作清洗。 10. 手套,廢紙及其它雜碎東西,請勿留置于操作臺,手套若燒焦、磨破或纖維質(zhì)變多必須換新。 11. 非經(jīng)指示,絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關(guān)閥控制鈕或把手。 12. 奇怪的味道或反應(yīng)異常的溶液,顏色,聲響等請即通知相關(guān)人員。 13. 儀器因操作錯誤而有任何損壞時,務(wù)必立刻告知負(fù)責(zé)人員或老師。 14. 芯片盒進(jìn)出無塵室須保持干凈,并以保鮮膜封裝,違者不得進(jìn)入。 15. 無塵室內(nèi)一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄,一般紙張與鉛筆不得攜入。 三、黃光區(qū)操作須知 1. 濕度及溫度會影響對準(zhǔn)工作,在黃光區(qū)應(yīng)注意溫度及濕度,并應(yīng)減少對準(zhǔn)機(jī)附近的人,以減少濕、溫度的變化。 2. 上妥光阻尚未曝光完成之芯片,不得攜出黃光區(qū)以免感光。 3. 己上妥光阻,而在等待對準(zhǔn)曝光之芯片,應(yīng)放置于不透明之藍(lán)黑色晶盒之內(nèi), 盒蓋必須蓋妥。 4. 光罩使用時應(yīng)持取邊緣,不得觸及光罩面,任何狀況之下,光罩鉻膜不得與他物接觸,以防刮傷,光罩之落塵可以氮氣槍吹之。 5. 曝光時,應(yīng)避免用眼睛直視曝光機(jī)汞燈。 四、鑷子使用須知 1. 進(jìn)入實驗室后,應(yīng)先戴上手套后,再取鑷子,以免沾污。 2. 唯有使用干凈的鑷子,才可持取芯片,鑷子一旦掉在地上或被手觸碰,或因其它原因而遭污染,必須拿去清洗,方可再使用。 3. 鑷子使用后,應(yīng)放于各站規(guī)定處,不可任意放置,如有特殊制程用鑷子,使用后應(yīng)自行保管,不可和實驗室內(nèi)各站之鑷子混合使用。 4. 持鑷子應(yīng)采"握筆式"姿勢挾取芯片。 5. 挾取芯片時,順序應(yīng)由后向前挾取,放回芯片時,則由前向后放回,以免刮傷芯片表面。 6. 挾取芯片時,"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面,"長邊" (平頭)置于芯片背面,挾芯片空白部分,不可傷及芯片。 7. 嚴(yán)禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。 8. 鑷子僅可做為挾取芯片用,不準(zhǔn)做其它用途。 五、化學(xué)藥品使用須知 1. 化學(xué)藥品的進(jìn)出須登記,并知會管理人,并附上物質(zhì)安全資料表(MSDS)于實驗室門口。 2. 使用化學(xué)藥品前,請詳讀物質(zhì)安全資料表(MSDS),并告知管理人。 3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙,戴上防酸長袖手套,頭戴護(hù)鏡,腳著塑料防酸鞋,始可進(jìn)行換酸工作。 4. 不得任意打開酸瓶的蓋子,使用后立即鎖緊蓋子。 5. 稀釋酸液時,千萬記得加酸于水,絕不可加水于酸。 6. 勿嘗任何化學(xué)藥品或以嗅覺來確定容器內(nèi)之藥品。 7. 不明容器內(nèi)為何種藥品時,切勿搖動或倒置該容器。 8. 所有化學(xué)藥品之作業(yè)均須在通風(fēng)良好或排氣之處為之。 9. 操作各項酸液時須詳讀各操作規(guī)范。 10. 酸類可與堿類共同存于有抽風(fēng)設(shè)備的儲柜,但絕不可與有機(jī)溶劑存放在一起。 11. 廢酸請放入廢酸桶,不可任意傾倒,更不可與有機(jī)溶液混合。 12. 廢棄有機(jī)溶液置放入有機(jī)廢液桶內(nèi),不可任意傾倒或倒入廢酸桶內(nèi)。 13. 勿任意更換容器內(nèi)溶液。 14. 欲自行攜入之溶液請事先告知經(jīng)許可后方可攜入,如果欲自行攜入之溶液具有危險性時,必須經(jīng)評估后方可攜入,并請于容器上清楚標(biāo)明容器內(nèi)容物及保存期限。 15. 廢液處理:廢液分酸、堿、氫氟酸、有機(jī)、等,分開處理并登記,回收桶標(biāo)示清楚,廢液桶內(nèi)含氫氟酸等酸堿,絕對不可用手觸碰。 16. 漏水或漏酸處理:漏水或漏酸時,為確保安全,絕對不可用手觸碰,先將電源總開關(guān)與相關(guān)閥門關(guān)閉,再以無塵布或酸堿吸附器處理之,并報備管理人。 六、化學(xué)工作站操作 1. 操作時須依規(guī)定,戴上橡皮手套及口罩。 2. 不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。 3. 添加任何溶液前,務(wù)必事先確認(rèn)容器內(nèi)溶劑方可添加。 4. 在化學(xué)工作站工作時應(yīng)養(yǎng)成良好工作姿勢,上身應(yīng)避免前傾至化學(xué)槽及清洗槽之上方,一方面可防止危險發(fā)生,另一方面亦減少污染機(jī)會。 5. 化學(xué)站不操作時,有蓋者應(yīng)隨時將蓋蓋妥,清洗水槽之水開關(guān)關(guān)上。 6. 化學(xué)藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時,應(yīng)即用水沖洗濺傷部位15分鐘以 上,且必須皮膚顏色恢復(fù)正常為止,并立刻安排急救處理。 7. 化學(xué)品外泄時應(yīng)迅速反應(yīng),并做適當(dāng)處理,若有需要撤離時應(yīng)依指示撤離。 8. 各化學(xué)工作站上使用之橡皮手套,避免觸碰各機(jī)臺及工作臺,及其它器具等物,一般操作請戴無塵手套。 七、RCA Method 1. DI Water 5min 2. H2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min 75~85℃,去金屬、有機(jī)、油 3. DI Water 5min 4. HF:H2O 10~30sec,去自然氧化層(Native Oxide) 5. DI Water 5min 6. NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5 煮10~20min 75~85℃,去金屬有機(jī) 7. DI Water 5min 8. HCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 ℃ 去離子 9. DI Water 5min 10. Spin Dry 八、清洗注意事項 1. 有水則先倒水﹐H2O2最后倒﹐數(shù)字比為體積比。 2. 有機(jī)與酸堿絕對不可混合﹐操作平臺也務(wù)必分開使用。 3. 酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽﹐并以DI Water沖玻璃杯5 min。 4. 酸堿空瓶以水清洗后﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分開置于室外回收筒。 5. 氫氟酸會腐蝕骨頭﹐若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹,再用清水沖洗干凈,并就醫(yī)。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量沖洗。 6. 清洗后之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。 7. 簡易清洗步驟為1-2-9-10;清洗SiO2步驟為1-2-10;清洗Al以HCl:H2O=1:1。 8. 去除正光阻步驟為1-2-10,或浸入ACE中以超音波振蕩。 9. 每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液﹐蝕刻、清洗、電鍍、有機(jī)絕不能混合。 10. 廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機(jī)五種,分開回收并記錄,傾倒前先檢查廢棄物兼容性表,確定無誤再傾倒。 無塵室系統(tǒng) 使用操作方法 1. 首先打開控制器面板上的【電熱運(yùn)轉(zhuǎn)】、【加壓風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】、【浴塵室運(yùn)轉(zhuǎn)】、【排氣風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】等開關(guān)。 注意: ?。?溫度控制器及濕度控制器可由黃色鈕調(diào)整,一般溫度控制為20℃ DB ,濕度控制為50% RH。 ?。?左側(cè)的控制器面板上電壓切換開關(guān)為【RU】,電流切換開關(guān)為【T】。右側(cè)的控制器面板上電壓切換開關(guān)為【RS】,電流切換開關(guān)為【OFF】。 2. 將箱型空氣調(diào)節(jié)機(jī)的送風(fēng)關(guān)關(guān)打開,等送風(fēng)穩(wěn)定后再將冷氣暖氣開關(guān)打開,此時紅色燈會亮起,表示正常運(yùn)作。 注意: * 冷氣的起動順序為壓縮機(jī)【NO.2】。 ?。?溫度調(diào)節(jié)為指針指向紅色暖氣【5】。 ?。?分流開關(guān)AIR VALVE 為【ON】。 3. 無塵室使用完畢后,要先將箱型空氣調(diào)節(jié)機(jī)關(guān)閉,按【停止】鍵即可。 4. 再將控制器面板上的【電熱運(yùn)轉(zhuǎn)】、【加壓風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】、【浴塵室運(yùn)轉(zhuǎn)】、【排氣風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】等開關(guān)依序關(guān)閉。 氣體鋼瓶 使用操作方法 1. 用把手逆時針打開氣體鋼瓶到底,將【OUTLET】打開PURGE關(guān)閉。 2. 由黑色轉(zhuǎn)鈕調(diào)整氣體鋼瓶的壓力(psi),順時針方向為增加,逆時針方向為減少。 3. 將N2鋼瓶調(diào)整為40psi(黃光室內(nèi)為20psi),AIR鋼瓶調(diào)整為80psi(黃光室內(nèi)為60psi)。 4. 氣體鋼瓶使用完畢后,用把手順時針關(guān)閉氣體鋼瓶到底,將【OUTLET】關(guān)閉【PURGE】打開將管路內(nèi)的氣體排出后將【PURGE】關(guān)閉。 純水系統(tǒng) 使用操作方法 1. 閥門控制 (1) 閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應(yīng)保持全開。 (2) 閥門V5、V7、V11、V18、V21應(yīng)保持全關(guān)。 (3) 閥門V9、V20為調(diào)壓作用,不可全開或全關(guān)。 (4) 閥門中V5為砂濾機(jī)之BY-PASS,V15為U.V燈之BY-PASS,V18為DI桶之BY-PASS,V21為RO膜之BY-PASS。 2. 自動造水 步驟1:如上【閥門控制】將各球閥門開關(guān)定位。 步驟2:控制箱上,各切換開關(guān)保持在【OFF】位置。 步驟3:將控制箱上【系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)】開關(guān)切換至【ON】位置。 步驟4:電磁閥1 激活先做初期排放。 步驟5:電磁閥2 激活造水。 步驟6:此時,PUMP1、PUMP2依序激活,系統(tǒng)正常造水,RO產(chǎn)水經(jīng)管路進(jìn)入儲水桶(TANK),當(dāng)水滿后控制箱上高液位指示燈亮,系統(tǒng)自動停機(jī),并于儲水桶水位下降至低液位時再激活造水。 3. 系統(tǒng)用水 將控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)切換至【用水】,此時PUMP3輸送泵浦激活,TANK內(nèi)之純水經(jīng)幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾后,供現(xiàn)場各使用點使用。 4. 夜間循環(huán) 控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān),主要在配合每日下班或連續(xù)假日停止供水后管路之衛(wèi)生考慮,其步驟為: (1) 停止供水59分鐘后,系統(tǒng)再自動供水1分鐘。 (2) 此后每隔59分鐘供水循環(huán)1分鐘至夜間循環(huán)【?!繛橹?。 5. 系統(tǒng)偵測 本系統(tǒng)中附有各項壓力表、流量計及導(dǎo)電度計,作為系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)之控制,其功能如下: 壓力表1:砂濾機(jī)進(jìn)水壓力 壓力表2:RO進(jìn)水壓力 壓力表3:RO排水壓力 壓力表4:DI進(jìn)水壓力 壓力表5:供水回流壓 流量計1:RO排水流量 流量計2:RO產(chǎn)水流量 另外,控制箱(機(jī)房)附有二段式LED導(dǎo)電度顯示屏,原水及產(chǎn)水分別切換顯示。 6. 系統(tǒng)維護(hù) HF-RD系統(tǒng),應(yīng)定期更新之耗材: (1) 砂濾機(jī)應(yīng)定期逆時。 (2)預(yù)濾應(yīng)每1-2個月更新。 (3)膜管應(yīng)視其去除率及產(chǎn)水量做必要之清洗或更新。 (4)樹脂混床視比電阻值更新。 (5)精密過濾約每2-4個月更新。 7. 故障排除 現(xiàn) 象 可能因素 排除方法 系統(tǒng)停機(jī)、系統(tǒng)無法激活 1. 外電源異常2. 系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)未按下3. 系統(tǒng)電路故障4. 馬達(dá)/泵浦故障 1. 檢查系統(tǒng)電源電路2. 按下系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)3. 通知廠商4. 更新馬達(dá)/泵浦 低產(chǎn)水量 1. 膜管排水量太高2. 壓力不足3. 膜管阻塞 1. 調(diào)整排水閥V92. 清洗膜管或更新膜管 低比電阻 1. 樹脂功能下降2. RO去除率下降 1. 更換樹脂2. 更換RO膜組 光罩對準(zhǔn)機(jī) 使用操作方法 曝光機(jī)簡介 在半導(dǎo)體制程中,涂布光阻后的芯片,須經(jīng)UV紫外光照射曝光顯影,此臺曝光機(jī)為OAI 200系列,整合光罩對準(zhǔn)、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。 OAI 200系列為一入門型光罩對準(zhǔn)儀,可以手動操作更改各項使用參數(shù),如曝光時間、曝光強(qiáng)度及曝光功率等等。對于中高階的線寬有很好的顯影效果,此系列最大可使用四吋的芯片,最大的曝光功率為1KW。 曝光機(jī)使用步驟 1. 檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N2 20psi〉以及黃光室的氮氣閥、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機(jī)下方延長線的紅色總開關(guān),再開啟曝光機(jī)、顯微鏡。 2. 接上隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源,進(jìn)行曝光機(jī)抽風(fēng)步驟,并檢查曝光機(jī)上方汞燈座后面進(jìn)風(fēng)口是否有進(jìn)氣。如果風(fēng)量微小或者無進(jìn)氣,則無法開啟汞燈的電源〈會有警報聲〉。確定進(jìn)風(fēng)口有進(jìn)氣后,才可開啟曝光機(jī)下方的汞燈電源供應(yīng)器ON/OFF開關(guān)。 3. 按住汞燈電源供應(yīng)器之START鍵,約1~3秒鐘,此時電流值會上升〈代表汞燈點亮,開始消耗電流〉,馬上放掉按鍵,汞燈即被點亮。 4. 汞燈點亮后,至少須待機(jī)30分鐘,使Lightsource系統(tǒng)穩(wěn)定。假使汞燈無法點亮,請不要作任何修護(hù)動作。 5. 待系統(tǒng)穩(wěn)定后,把電源供應(yīng)器上的電壓、電流值填到紀(jì)錄表上,每一次開燈使用都要登記作為紀(jì)錄。 6. 旋開光罩夾具之螺絲,光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下,對準(zhǔn)三個基準(zhǔn)點,壓下【MASK VAC.】鍵,使真空吸住光罩,再鎖好螺絲以固定光罩。 注意: * MASK Holder 必須放下時才能放置光罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASK Holder升起或放下。 * 先用氮氣吹光罩和MASK Holder,光罩正面朝下,對準(zhǔn)黑邊鐵框,手勿接觸光罩,壓下【MASK VAC.】鍵,使真空吸住光罩,鎖上旁邊兩個黑鐵邊。 ?。?檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些,防止光罩壓破芯片。 7. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵,使MASK Holder上升,放置芯片到CHUNK上,將【SUB VAC.】鍵扳至ON,使真空吸住芯片,扳下【MASK FRAME UP/DOWN】鍵,使MASK Holder放下。 8. 扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)為Unlock,順時針方向慢慢旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)鈕(Z knob),使芯片基座上升,直到傳動皮帶感覺已拉緊即可,然后逆時針旋轉(zhuǎn)Z Knob約15格,扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)為Lock。 注意: * Z knob 每格約15 microns。 ?。?逆時針方向旋轉(zhuǎn)Z knob,會使放置芯片基座下降,其目的是為了作對準(zhǔn)時,讓芯片和光罩有些許的距離,使芯片與光罩不會直接摩擦。 ?。?若不須對準(zhǔn)時,可以不使用逆時針方向旋轉(zhuǎn)Z knob。 ?。?旋轉(zhuǎn)Z knob時,不論順時針或逆時針轉(zhuǎn)動,當(dāng)皮帶打滑時,代表芯片基座已和光罩接觸,此時不可逆時針旋轉(zhuǎn),而導(dǎo)致內(nèi)部螺栓松脫。 ?。?CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間,且電流越小皮帶越松。 9. 移動顯微鏡座,至光罩上方,作芯片與光罩的對準(zhǔn)校正。如須調(diào)整芯片的位置,可使用芯片基座旁的微調(diào)桿,校正芯片座X、Y及θ。 10. 100 SEC 1000 SEC RESET EXPOSE SEC 曝光機(jī)面板左側(cè)如下圖: 注意: * 曝光秒數(shù)有兩種設(shè)定,一種為1000SEC,一種為100SEC。當(dāng)按下1000SEC時,計數(shù)器最大可設(shè)999秒的曝光時間;按下100SEC時,計數(shù)器最大可設(shè)99.9秒的曝光時間。 ?。?再設(shè)定曝光秒數(shù)時要先測量汞燈的亮度,先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機(jī)左端底,后然將OAI 306 UV POWERMETER放置于CHUNK上即可,完畢后按RESET,而且可多測幾個不同的位置,觀看汞燈的亮度是否均勻,所測得的單位為mw/cm2 ,乘時間(SEC)即變可mJ的單位。 11. 設(shè)定好曝光秒數(shù)后,即可進(jìn)行曝光的程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON,【N2 PURGE】至ON, 則芯片和光罩之間會產(chǎn)生些許的真空。 注意: ?。綜ONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa 左右。 12. 按住把手上的按鈕,此時基座才可移動,移至曝光機(jī)左端底,放開按鈕,則曝光機(jī)會自動進(jìn)行曝光的動作。 13. 曝光完成后,即可將基座移回曝光機(jī)右端。扳動扳動【N2 PURGE】為OFF。再扳動【CONTACT VAC.】至OFF,儀器會充氮氣破光罩與芯片間的真空,方便使用者拿出芯片。 14. 逆時針旋轉(zhuǎn)Z knob,降下芯片基座至最低點。松開光罩固定的黑邊鐵框,拉起【MASK VAC.】鈕,即可破除MASK Holder的真空,光罩即可取出。 15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP,使MASK Holder升起。扳動【SUB VAC.】為OFF,使用芯片夾取出芯片,再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。 16. 如須進(jìn)行再一次的曝光,則可重復(fù)上述步驟。 17. 完成所有的曝光程序后,先關(guān)掉顯微鏡光源產(chǎn)生器,再關(guān)掉汞燈電源供應(yīng)器。〈關(guān)燈后一小時內(nèi)不可再開啟汞燈,已延長汞燈壽命〉 18. 先關(guān)隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源,關(guān)掉曝光機(jī)的開關(guān)【SYSTEM ON/OFF】為OFF,再關(guān)掉曝光機(jī)下方的延長線總開關(guān)。待曝光機(jī)冷卻后,最后再關(guān)掉墻上氮氣閥及空氣閥。 熱蒸鍍機(jī) 使用操作方法 A.開機(jī)步驟 1. 開機(jī)器背面的總電源開關(guān)。 2. 開冷卻水,需先激活D.I Water 系統(tǒng)。 3. 開RP,熱機(jī)2分鐘。 4. 開三向閥切至F.V的位置,等2分鐘。 5. 開DP,熱機(jī)30分鐘(熱機(jī)同時即可進(jìn)行Sample 之清洗與裝載,以節(jié)省時間)。 B.裝載 1. 開Vent,進(jìn)氣之后立刻關(guān)閉。 2. 開Chamber。 3. Loading Sample、Boat及金屬。 4. 以Shutter擋住Sample。 5. 關(guān)Chamber,關(guān)門時務(wù)必注意門是否密合,因機(jī)器年久失修,通常須用手壓緊門的右上角。 C.抽真空 1. 初抽 (1) 三向閥切至R.V位置(最好每隔幾分鐘就切換到F.V一下,以免DP內(nèi)的幫浦油氣分子擴(kuò)散進(jìn)入chamber中)。 (2) 真空計VAP-5顯示至5´10-2 torr時三向閥切至F.V,等30秒。 2. 細(xì)抽 (1) M.V ON,記錄時間。 (2) ION GAUGE ON,壓下Fil 點燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下才抽氣完成)。 D.蒸鍍 1. 壓力約2´10-5 Torr時,開始加入液態(tài)氮。 2. 壓力低于2´10-6 Torr時,記錄壓力及抽氣時間并關(guān)掉ION GAUGE。 3. Heater Power ON (確定Power調(diào)整鈕歸零)。 4. 選擇BOAT1 or BOAT2。 5. 蒸鍍開始,注意電流需慢慢增加。 注意: ?。?鍍金時,儀表上電流約100A,鍍Al時電流可稍微小些,約70~80A。 ?。?當(dāng)BOAT高熱發(fā)出紅光時,應(yīng)立即關(guān)閉觀景窗,以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。 ?。?空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈后即可打開Shutter,開始蒸鍍。 ?。?蒸鍍完成后,立刻關(guān)閉Heater Power,等10~15分鐘讓BOAT冷卻及蒸鍍后的金屬冷卻,避免立即和空氣接觸而氧化,才可vent破真空。 E.破真空 1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。 2. ION GAUGE 【POWER】OFF。 3. M.V OFF。 4. DP OFF 冷卻30~60分鐘。 5. 開Vent(進(jìn)氣后立刻關(guān)閉)。 6. 開Chamber,取出Sample及BOAT。 7. 關(guān)Chamber,注意將門關(guān)緊。 F.關(guān)機(jī) 1. 關(guān)F.V。 2. 開R.V,抽至0.01 Torr之后關(guān)閉。 3. 開F.V,30秒后三向閥切至關(guān)閉之位置。 4. RP OFF。 5. 關(guān)總電源。 6. 關(guān)冷卻水。 7. 關(guān)氮氣。 注意: ?。?蒸鍍時,電流應(yīng)緩慢增大,且不可太大,以免金屬在瞬間大量氣化,使厚度不易控制。 ?。?若接續(xù)他人使用,液態(tài)氮可少灌一點兒,約三分之一筒即可。 氧化爐管 使用操作方法 氧化爐管簡介 本實驗室所采用之氧化爐管為Lenton LTF 1200水平管狀式爐子,可放2英吋硅晶圓,加熱區(qū)大于50cm,最高溫度可達(dá)1200°C并可連續(xù)24hr,最大操作溫度為1150°C,溫控方式采用PID微電腦自動溫度控制器。 目的 將硅芯片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時間后,我們可以在硅芯片的表面生長一層與硅的附著性良好,且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。 注意: ?。?在開啟氧化爐之前,必須先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應(yīng)時【l】將會發(fā)光,而氧化爐也將開始加熱。 ?。?如果過溫保護(hù)裝置是好的,請確定警報點的設(shè)定于目前的使用過程中為恰當(dāng)?shù)?。如果過熱保護(hù)裝置是好的,蜂嗚器會有聲音,在過溫控制操作中有警報一致的程序。 ?。?為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞,其加熱速率最大不能超過3°C per min。 ?。?為了減少熱流失,必須確定正確的操作程序,適當(dāng)?shù)氖褂媒^緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。 ?。?在操作氧化爐時不要在最大溫度下關(guān)閉氧化爐,以延長氧化爐的壽命。 操作步驟: 1. 檢查前一次操作是否有異常問題發(fā)生,并填寫操作記錄。 2. 檢查機(jī)臺狀態(tài) (1) 控制面板狀態(tài):使用前先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。 (2) 加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C,前后段爐溫差£40°C。 (3) 氣體控制:H2【OFF】,O2 【OFF】。 3. 將芯片緩慢的推入爐管內(nèi)。 4. 打開墻上H2、O2之開關(guān)和機(jī)房的氣瓶調(diào)壓閥。 5. 設(shè)定預(yù)設(shè)氣體(H2 、O2)流量值及爐溫。 6. 按下【HEAT】Switch 為【l】,此時爐溫將從恒溫(400°C)慢慢加熱至標(biāo)準(zhǔn)制程溫度1100°C,升溫速率最大不能超過3°C per min。 7. 待爐溫降至恒溫后將芯片取出。 8. 關(guān)閉H2、O2 。 9. 關(guān)閉爐管后端H2之開關(guān)及墻上之開關(guān)和機(jī)房的氣瓶調(diào)壓閥。 10. 檢查爐管是否完成關(guān)機(jī)動作。 11. 填寫操作記錄之終了時間和異常保護(hù)及說明。 涂布機(jī) 使用操作方法 1. 首先將PUMP的電源插頭插入涂布機(jī)后面的電源插座。 2. 將涂布機(jī)的插頭插入110V的電源插座,然后按下【POWER】鍵。 3. 設(shè)定旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速及時間,本機(jī)型為二段式加速的Spin Coating,右邊為第一段加速,左邊為第二段加速。 4. 依不同尺寸的基材,可更換不同的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤做涂布的動作。 5. 按下【PUMP】鍵,此時旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤會吸住基材,然后將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外涂開至適當(dāng)?shù)牧?,在做光阻涂開動作時可先用氮氣將旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤周圍及基材吹干凈。 6. 蓋上涂布機(jī)的保護(hù)蓋,以防止光阻濺出涂布機(jī)外。 7. 按下【START】鍵,涂布機(jī)便開始做涂布的動作。 8. 涂布完畢后,打開保護(hù)蓋,按下【PUMP】鍵旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤會放開基材,便可以將基材取出。 熱風(fēng)循環(huán)烘箱 使用操作方法 1. 本機(jī)使用電壓110V/60HZ。 2. 確認(rèn)電壓后,將電源線插入110V的插座。 3. 打開【POWER】開關(guān),此時溫度表PV即顯示箱內(nèi)實際溫度。 4. 首先按【SET】鍵ÿ ,SV會一直閃爍此時即可開始設(shè)定溫度,而SV的字幕窗會呈現(xiàn)高亮度,在高亮度的位置可設(shè)定所需的溫度,只要再按【SET】鍵ÿ 高亮度會隨之移動,在高亮度的地方即可設(shè)定溫度。 5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增,按下移鍵▼則溫度往下遞減。 6. 當(dāng)完成以上設(shè)定溫度之后(SV仍閃爍不停)此時只要按一次【ENT】鍵SV即呈現(xiàn)剛才所設(shè)定的溫度(PV顯示實際溫度)。 7. 加熱燈OUT顯示燈亮?xí)r表示機(jī)器正在加熱中,而到達(dá)設(shè)定點時OUT會一閃一爍(正?,F(xiàn)象)。 8. AT燈亮?xí)r表示溫度正自動演算中。 9. ALM-1紅色燈亮?xí)r表示溫度過熱(溫度會自動降溫)。 10. ALM-2紅色燈亮?xí)r表示溫度過低(溫度會自動加溫)。 11. 溫度范圍:40℃~210℃。
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