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●演講/許生

　　“2011年觸控屏市場(chǎng)規(guī)模有160億美元，到2018年將翻一倍，達(dá)到320億美元左右”，這是著名顯示行業(yè)研究公司DisplaySearch的資料。今年，In-cell、On-cell和OGS是業(yè)界關(guān)注的重點(diǎn)，而從鍍膜技術(shù)看，主要是IM ITO、AR以及鍍膜技術(shù)的低溫方法。

　　鍍膜技術(shù)的發(fā)展主要有四個(gè)方面：一是低溫ITO技術(shù)，從傳統(tǒng)的170度、電阻80Ω、通過率達(dá)到87%到現(xiàn)在的80度、電阻80Ω、通過率達(dá)到85%左右的轉(zhuǎn)變；二是IM ITO要求低溫80Ω，但目前的行業(yè)內(nèi)達(dá)到的要求是低溫20Ω，在這方面還需要進(jìn)一步的發(fā)展；三是AR，現(xiàn)在的要求小于0.5%；四是大型超薄方面的Back side ITO技術(shù)，目前要求80度降到50度的范圍。

　　目前在電容屏領(lǐng)域里有三種類型的設(shè)備可以選擇。第一種是ITO方式的單進(jìn)單出方案，另外一種是雙進(jìn)雙出的方法，實(shí)際上這些方案是應(yīng)對(duì)客戶不同的需求。雙進(jìn)雙出的方法是一邊可以單純做ITO，另外一邊做氧化硅。第三種是循環(huán)的結(jié)構(gòu)，針對(duì)像IM ITO結(jié)構(gòu)或者三層結(jié)構(gòu)和四層結(jié)構(gòu)的鍍膜，采取循環(huán)鍍膜的方式。

　　目前做IM ITO有兩個(gè)方案，一是三層結(jié)構(gòu)，用氧化鋰+氧化硅的方案，另外一種是采取四層結(jié)構(gòu)加上ITO是五層結(jié)構(gòu)。從效益看，針對(duì)不同的方塊電阻，有些可以達(dá)到，但如果電阻太低就采取5×9方式，這主要因?yàn)槿绻鸌TO的厚度厚了對(duì)光學(xué)層的要求就更高。

　　接下來，我介紹一下我們公司。愛發(fā)科豪威是中國第一家推出ITO鍍膜技術(shù)的公司，愛發(fā)科是全世界做PVD最好的公司之一。2009年4月30日成立的注冊(cè)資本達(dá)6000萬的愛發(fā)科豪威合資公司，傳承了愛發(fā)科在真空設(shè)備研制領(lǐng)域的全球頂尖優(yōu)勢(shì)，依托愛發(fā)科在材料工藝及關(guān)鍵設(shè)備的強(qiáng)大后援，逐步地實(shí)現(xiàn)高端真空鍍膜設(shè)備及相關(guān)部件的國產(chǎn)化制造。公司成立之初，有兩個(gè)方向：為觸控屏領(lǐng)域服務(wù)，為設(shè)備制造廠商提供大型鍍膜設(shè)備。我們?cè)陔娙萜磷隽撕芏喙ぷ?，包括玻璃解決方案、膜的解決方案。

　　根據(jù)客戶的不同要求，目前愛發(fā)科豪威有三種電容屏鍍膜設(shè)備：第一種是單進(jìn)單出的方案，是ITO的方式；第二種是相當(dāng)于兩條線的雙進(jìn)雙出方法，可以一邊做ITO，一邊做氧化硅；第三種則是循環(huán)的結(jié)構(gòu)，針對(duì)兩層以上的，像IM ITO、三層結(jié)構(gòu)和四層結(jié)構(gòu)的鍍膜，采取循環(huán)鍍膜的方式。

　　在鍍膜技術(shù)方面，愛發(fā)科豪威不斷強(qiáng)化自身核心競(jìng)爭(zhēng)力，積極探索相關(guān)工藝及技術(shù)。

　　一是低溫鍍膜工藝。愛發(fā)科專利的W-α陰極采用高磁場(chǎng)、低電壓ITO鍍膜，有效降低了ITO電阻率，達(dá)到電阻范圍平均80Ω，控制在2.9%，而一般鍍膜性能要求是5%。

　　二是消影膜——IM ITO工藝。該技術(shù)應(yīng)用越來越廣泛，OGS技術(shù)都要用IM ITO。目前做IM ITO有兩個(gè)方案，一是三層結(jié)構(gòu)，氧化鋰+氧化硅的方案。另外一種采取四層結(jié)構(gòu)，加上ITO是五層結(jié)構(gòu)。

　　三是OGS鍍膜工藝。有兩種方案：第一種是370×470可以放9片，鍍膜以后做OGS再切割；還有小K鍍膜的方式，直接在小片上進(jìn)行鍍膜。愛發(fā)科豪威已有成功的技術(shù)，能做到表面無接觸、無效鍍膜邊緣最小、無繞射、無刮傷，而且設(shè)備已經(jīng)銷售。

　　四是AR工藝。目前產(chǎn)業(yè)界對(duì)AR技術(shù)接觸越來越多，一般都涉及到A、B值，這就是開發(fā)的范圍?，F(xiàn)在的幾乎是全色的AR技術(shù)。從AR系數(shù)來看，愛發(fā)科豪威的優(yōu)勢(shì)是采用四層AR技術(shù)，A值小于1，就是0.1-0.8，B值是-0.5，也是小于1的范圍。

　　五是Back Side技術(shù)。主要在面板制成以后減薄，因?yàn)橐诜浅５偷牡蜏厣线M(jìn)行鍍膜，而針對(duì)不同的厚度，愛發(fā)科豪威可以提供Back Side ITO的鍍膜設(shè)備。

　　愛發(fā)科豪威設(shè)計(jì)的整個(gè)生產(chǎn)線采取不同的模塊，可以大大縮短制造中心。從目前的情況來看，因?yàn)槭悄K化的方式，不管是AR還是IM，都可以在比較短的時(shí)間內(nèi)完成設(shè)備的安裝和調(diào)試。過去的設(shè)計(jì)和實(shí)地安裝調(diào)試時(shí)間大概是7個(gè)月，現(xiàn)在至少可以縮短兩個(gè)月。

　　而在觸控屏領(lǐng)域，采取α陰極提高靶材利用率，可以節(jié)約成本。目前，觸控屏產(chǎn)業(yè)主要做兩種薄膜：導(dǎo)電薄膜和介質(zhì)薄膜。介質(zhì)薄膜如氧化鋰、氧化硅，行業(yè)里采取旋轉(zhuǎn)陰極設(shè)計(jì)。愛發(fā)科豪威運(yùn)用移動(dòng)陰極和寬板設(shè)計(jì)，能將靶材利用率提高到達(dá)到50%。現(xiàn)在ITO材料成本非常高，以G6和G4.5，實(shí)際利用率50%和35%的比較，一年算下來，以6代線為主的企業(yè)，一年可以節(jié)約1100萬；如果是G4.5，實(shí)際靶材利用率是35%，一年在節(jié)省材料費(fèi)用240萬。

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