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　　在2016中國平板顯示學術(shù)大會的新型顯示及觸控技術(shù)的分論壇上，武漢華星光電技術(shù)有限公司程艷帶來了題為《微晶粒發(fā)光二級體技術(shù)現(xiàn)狀與未來展望》的演講，以下為演講文字實錄：

　　上午熊貓平板顯示崔老師已經(jīng)做了一個詳細的介紹，我這邊做一個補充。Micro LED技術(shù)：LED微縮化和矩陣化技術(shù)，在一個晶片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列。我們主要講第三種的形勢，我們比較一下Micro LED有快的速度和對比對，當然它也在一些OLED上有一些很好的優(yōu)勢，我這里面沒有列出來的是壽命，OLED在亮度上面已經(jīng)努力的突破，想要達到液晶OLED的狀態(tài)，是Micro LED確實超越了OLED。Micro LED都可以作為主動式的發(fā)放來進行，上頁PPT里的第三項技術(shù)，主要有兩大類，第一類其實是在LED在微縮的過程當中，直接有一個隔絕層，直接完成TFT的工藝，這個目前僅僅處于一個（POP）階段。Micro LED的優(yōu)點，它的的響應速度快，主要是跟它表面這樣一個效率有關(guān)，我們看一下右邊的圖片，它是來自于APL的集團，這個集團里有報道過，LED的尺寸越小用的時間越小。和大尺寸LED相比，越小越接近于系統(tǒng)的時間，還有B和C的兩個優(yōu)勢，都是在是它的一個光效，這兩個方面都是它的一個優(yōu)勢，我們來看一下第二項，這樣的一個結(jié)果主要是它的光的路徑導致的。最后主要是它集中在更穩(wěn)定的集中性，一方面是它的溫度，這樣一個小尺寸，它的一個（結(jié)溫）就更小。最后一項數(shù)據(jù)可以看出，300和40相比，300是有一個遷移，40主要是10納米的遷移。唯一的一個缺點就是目前來看它的光電轉(zhuǎn)化效率比較小，光的輻射比電功率×電子注入，跟電阻有關(guān)。

　　Micro LED 的核心技術(shù)是nm級LED的轉(zhuǎn)運與full color實現(xiàn)，而不是制作LED這個技術(shù)本身。

　　晶格匹配：LED 元件---藍寶石類的基板上通過MBE生長；顯示器---必須要把LED發(fā)光元件轉(zhuǎn)移到玻璃基板上；

　　尺寸等級：藍寶石基板尺寸---硅晶元的尺寸，制作顯示器---尺寸大得多的玻璃基板；

　　多次轉(zhuǎn)運：微元件的多次轉(zhuǎn)運技術(shù)難度高，在追求高精度顯示器的產(chǎn)品上難度更大。

　　通過此前蘋果收購Luxvue 后公布的獲取專利名單看出，大多采用電學方式完成轉(zhuǎn)運過程，這是Luxvue 的關(guān)鍵核心技術(shù)。

　　Micro LED技術(shù)比較：

　　制程方式：均屬于微轉(zhuǎn)印制程（micro-Transfer），差別主要在于轉(zhuǎn)印部件設計方式的不同，進而所運用的制程原理亦略微有些差異；

　　制程難點：目前Wafer工藝與TFT工藝已屬成熟，該制程的難點集中在轉(zhuǎn)移過程，尺寸越小，pixel就越小，需轉(zhuǎn)移LED越小，技術(shù)難點越大；

　　我們這種三色除了LED，還有其他的兩種，也是有一定難度的，熒光粉技術(shù)屬于無機鹽類的晶體，傳統(tǒng)就是LED所用到的，這種它的顆粒相較于傳統(tǒng)的熒光粉會更小。這種納米級的熒光粉，其中和尺寸上面還有一個相對比的，光電轉(zhuǎn)化效率是比較高的，在這里主要用的廣質(zhì)發(fā)光。最后一項是有機的發(fā)光體，主要是跟上面相比較，也是存在一些發(fā)光效率和優(yōu)勢，這幾種相比較，目前市面上做比較多工作是有在量子點上面做一些工作。

　　Micro LED的成功發(fā)展歸根結(jié)底在于以下方面：

　　1、蘋果、三星等品牌廠的意愿；

　　2、在制程上，要克服晶片轉(zhuǎn)運技術(shù)門檻，一次搬運數(shù)百萬顆超小LED晶片；

　　3、全彩化、良率、發(fā)光波長一致性問題？

　　單色Micro LED 陣列通過倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動IC 貼合就可以實現(xiàn)，而RGB 陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍、綠三色的chip，需要嵌入幾百萬顆LED chip,對于LED chip光效、波長的一致性、良率要求更高。

　　4、分bin和成百上千萬的u-LED的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。

　　以上是我的一個淺顯的分析。